[发明专利]加快Nand Flash写操作的方法及装置

摘要

本发明公开了一种加快Nand Flash写操作的方法及装置，属于嵌入式系统领域。所述Nand Flash的各个页按照一定的字节分为若干个扇区，所述方法包括：步骤S101：根据预先建立的索引表，判断目标扇区的标识信息是否为“是”，若是，则转至步骤S102，其中所述索引表中包括表示各个扇区中的当前数据是否为0xFF的标识信息，所述目标扇区是目标地址所在的扇区，所述目标地址是待写入的地址；步骤S102：将待写入数据写入所述目标扇区；步骤S103：将所述目标扇区的标识信息设置为“否”。与现有技术相比，本发明的加快Nand Flash写操作的方法加快了Nand Flash写操作的速度，增加了Nand Flash的使用寿命。

主权项

1.一种加快Nand Flash写操作的方法，其特征在于，所述Nand Flash的各个页按照一定的字节分为若干个扇区，所述方法包括：步骤S101：根据预先建立的索引表，判断目标扇区的标识信息是否为“是”，若是，则转至步骤S102，其中所述索引表中包括表示各个扇区中的当前数据是否为0xFF的标识信息，所述标识信息为“是”时，表示当前数据为0xFF，目标扇区擦除后并未写入数据，所述目标扇区是目标地址所在的扇区，所述目标地址是待写入的地址；步骤S102：将待写入数据写入所述目标扇区；步骤S103：将所述目标扇区的标识信息设置为“否”；所述步骤S101之前还包括：步骤S100：判断待写入数据是否等于0x00，若是，转至步骤S102，否则，转至步骤S101；所述步骤S101进一步为：根据预先建立的索引表，判断目标扇区的标识信息是否为“是”，若是，则转至步骤S102，否则，转至步骤S301；所述方法还包括：步骤S301：从所述Nand Flash中将目标扇区中的数据读取至缓存；步骤S302：将待写入数据DT与目标地址中的当前数据ND进行与操作，判断是否等于0，若否，转至步骤S303；步骤S303：在缓存中将目标地址的数据修改为待写入数据；步骤S304：将缓存中整个扇区的数据写入Nand Flash的目标扇区中。