[发明专利]一种自对准双重图形成像方法有效
| 申请号： | 201510218532.7 | 申请日： | 2015-04-30 |
| 公开（公告）号： | CN106200272B | 公开（公告）日： | 2017-10-27 |
| 发明（设计）人： | 张利斌;韦亚一 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;G03F1/36;H01L21/027 |
| 代理公司： | 北京维澳专利代理有限公司11252 | 代理人： | 党丽,江怀勤 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种自对准双重图形成像方法，包括提供衬底，所述衬底上依次形成有待刻蚀层、第一掩膜层、第二掩膜层、第一光罩层；提供第一掩膜版和第二掩膜版，第一掩膜版提供关键图形，第二掩膜版提供非关键图形；分别利用第一掩膜版和第二掩膜版对第一光罩层进行光刻；进行刻蚀，形成第一次图形于第二掩膜层，并去除第一光罩层；在第一次图形周围形成侧墙，去除第一次图形；以侧墙为掩膜进行刻蚀，在第一掩膜层中形成第一掩膜层图形，去除侧墙，对其进行修正，获得第二次图形；进行刻蚀将第二次图形转移到待刻蚀层上，并去除第一掩膜层。利用本发明提供的方法减少了涂布光刻胶步骤及晶圆在不同设备之间的流转，能有效降低光刻工艺的成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 对准 双重 图形 成像 方法 | ||
【主权项】：
一种自对准双重图形成像方法，其特征在于，包括步骤：提供衬底，所述衬底上依次形成有待刻蚀层、第一掩膜层、第二掩膜层、第一光罩层；提供第一掩膜版和第二掩膜版，第一掩膜版提供关键图形，第二掩膜版提供非关键图形；分别利用第一掩膜版和第二掩膜版对第一光罩层进行光刻；进行刻蚀，形成第一次图形于第二掩膜层中，并去除第一光罩层；在第一次图形周围形成侧墙，并去除第一次图形；以侧墙为掩膜进行刻蚀，在第一掩膜层中形成第一掩膜层图形，并去除侧墙，而后对第一掩膜层图形进行修正，获得第二次图形；进行刻蚀将第二次图形转移到待刻蚀层上，并去除第一掩膜层；所述在第一次图形周围形成侧墙包括：淀积第一顶层掩膜层；进行各向异性刻蚀，以在第一次图形的侧壁上形成侧墙。
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