[发明专利]双向光敏晶闸管芯片和固态继电器有效
| 申请号： | 201510218776.5 | 申请日： | 2015-04-30 |
| 公开（公告）号： | CN105097909B | 公开（公告）日： | 2017-11-21 |
| 发明（设计）人： | 鞠山满;松本浩司;泽井敬一;铃木成次;一条尚生 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/747 | 分类号： | H01L29/747 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司11322 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种能够应用于高电流容量的SSR的双向光敏晶闸管芯片。该双向光敏晶闸管芯片(40)在一个半导体芯片的表面搭载有多个单元(42)，各单元(42)包括彼此分离形成的第一光敏晶闸管部(42a)和第二光敏晶闸管部(42b)，各光敏晶闸管部(42a、42b)具有PNPN部，该PNPN部包括在一个方向上延伸并且具有N型和P型中的一种导电型的阳极扩散区域(43)；具有N型和P型中的另一种导电型的衬底(41)；与阳极扩散区域(43)相对的具有上述一种导电型的控制极扩散区域(44)；在该控制极扩散区域(44)内与阳极扩散区域(43)相对形成并且具有上述另一种导电型的阴极扩散区域(45)。 | ||
| 搜索关键词： | 双向 光敏 晶闸管 芯片 固态 继电器 | ||
【主权项】：
一种双向光敏晶闸管芯片，其特征在于：在一个半导体芯片的表面搭载有多个单元，所述多个单元中的各单元包括彼此分离形成的第一光敏晶闸管部和第二光敏晶闸管部，所述第一光敏晶闸管部和第二光敏晶闸管部具有PNPN部，该PNPN部包括：在一个方向上延伸并且具有N型和P型中的一种导电型的阳极扩散区域；具有N型和P型中的另一种导电型的衬底；与所述阳极扩散区域相对的具有所述一种导电型的控制极扩散区域；和在该控制极扩散区域内与所述阳极扩散区域相对形成并且具有所述另一种导电型的阴极扩散区域，在沿着与从所述阳极扩散区域向所述控制极扩散区域流动的电流方向平行的方向配置的所述各单元之间，沿着与从所述阳极扩散区域向所述控制极扩散区域流动的电流方向垂直的方向设置沟道分离结构，通过该沟道分离结构来回收在导通时产生的少数载流子。
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