[发明专利]高灵敏度低功耗电流检测电路在审

专利信息
申请号: 201510219151.0 申请日: 2015-04-30
公开(公告)号: CN104897943A 公开(公告)日: 2015-09-09
发明(设计)人: 潘福跃;张勇;汤赛楠 申请(专利权)人: 中国电子科技集团公司第五十八研究所
主分类号: G01R19/00 分类号: G01R19/00
代理公司: 总装工程兵科研一所专利服务中心 32002 代理人: 杨立秋
地址: 214035 *** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明涉及半导体集成电路技术领域,具体涉及一种高灵敏度低功耗电流检测电路。包括控制开关、第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第一恒流源、第二恒流源和电阻;本发明实现了电流检测的功能,电路整体功耗较低,具有较高的检测灵敏度,可检测比较小的电流,也即可允许输入电压信号非常接近电源电压。另外,本发明电流检测电路的灵敏度方便可调,电路实用性强。
搜索关键词: 灵敏度 功耗 电流 检测 电路
【主权项】:
高灵敏度低功耗电流检测电路,其特征在于,包括控制开关(K)、第一PMOS管(MP1)、第二PMOS管(MP2)、第三PMOS管(MP3)、第一恒流源(I1)、第二恒流源(I2)和电阻(R);所述第一PMOS管(MP1)的源极接输入电压信号(VS),所述第一PMOS管(MP1)的漏极接所述第一恒流源(I1)的第一端,所述第一PMOS管(MP1)的栅极接所述第二PMOS管(MP2)的栅极,所述第二PMOS管(MP2)的栅极接所述第二PMOS管(MP2)的漏极和所述第二恒流源(I2)的第一端,所述第二PMOS管的源极接所述控制开关的第二端和所述第三PMOS管的源极,所述第二PMOS管(MP2)的宽长比大于所述第一PMOS管(MP1)的宽长比,所述第三PMOS管(MP3)的栅极接所述第一PMOS管(MP1)的漏极和所述第一恒流源(I1)的第一端,所述第三PMOS管(MP3)的漏极接电阻(R)的第一端和输出电压信号(VO),所述电阻(R)的第二端接地,所述第一恒流源(I1)和第二恒流源(I2)的第二端接地,所述控制开关(K)的第一端接电源(VDD)。
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