[发明专利]一种无苯流延成型制备氮化铝陶瓷的方法在审
| 申请号： | 201510220583.3 | 申请日： | 2015-05-04 |
| 公开（公告）号： | CN106187201A | 公开（公告）日： | 2016-12-07 |
| 发明（设计）人： | 孙永健;郭坚;杨海艳 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | C04B35/581 | 分类号： | C04B35/581;C04B35/622 |
| 代理公司： | 北京万象新悦知识产权代理事务所(普通合伙) 11360 | 代理人： | 李稚婷 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种无苯流延成型制备氮化铝陶瓷的方法。本发明采用多种醇类溶剂配置成混合溶剂，将混合溶剂、分散剂、AlN陶瓷粉末和烧结助剂混合进行初次球磨；然后加入增塑剂和粘结剂进行二次球磨；对二次球磨后的AlN浆料进行真空搅拌除泡，随后进行流延操作并干燥、剥离，得到结构均匀、致密度高的AlN坯体薄片。该方法采用醇类混合溶剂取代传统的苯类有毒溶剂，减少了环境污染，降低了生产成本，而且工艺简单高效，产品稳定性较高，推进了AlN陶瓷基片的工业化生产。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 无苯流延 成型 制备 氮化 陶瓷 方法 | ||
【主权项】：
一种流延成型制备氮化铝陶瓷基片的方法，包括如下步骤：1)将两种或两种以上的醇类溶剂配置成混合溶剂，然后将混合溶剂、分散剂、AlN陶瓷粉末和烧结助剂混合进行初次球磨；2)在初次球磨得到的AlN浆料中加入增塑剂和粘结剂，然后进行二次球磨；3)将二次球磨得到的AlN浆料进行真空搅拌除泡；4)将真空除泡得到的AlN浆料进行流延操作，得到AlN坯体；5)将AlN坯体干燥，并从流延薄膜上剥离下来。
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