[发明专利]半导体器件和制造方法有效
| 申请号： | 201510221086.5 | 申请日： | 2015-05-04 |
| 公开（公告）号： | CN106206529B | 公开（公告）日： | 2019-07-16 |
| 发明（设计）人： | 林俊成;蔡柏豪;郑礼辉 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/498 | 分类号： | H01L23/498;H01L23/31;H01L21/56;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体器件和制造方法。放置与所述通孔电连接的可回流材料，其中，通孔延伸穿过密封剂。在可回流材料上方形成保护层。在实施例中，在保护层内形成开口以暴露可回流材料。在另一实施例中，形成保护层从而使得可回流材料延伸为远离保护层。本发明涉及半导体器件和制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：第一半导体管芯，通过密封剂封装；通孔，延伸穿过所述密封剂并且与所述第一半导体管芯横向分隔开；第一可回流导电材料，与所述通孔电连接；保护层，至少部分地位于所述第一可回流导电材料和所述第一半导体管芯上方，其中，所述保护层具有暴露所述第一可回流导电材料的开口，所述保护层覆盖所述第一可回流材料的至少一部分；以及第二可回流导电材料，延伸穿过所述开口并且与所述第一可回流导电材料物理接触。
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