[发明专利]一种改善SiC MOSFET器件沟道迁移率的方法

摘要

一种改善SiC MOSFET器件沟道迁移率的方法，包括以下步骤：首先将SiC MOSFET器件基片表面清洗；之后进行离子注入；之后表面形成碳保护膜；之后进行去除表面碳膜处理；之后进行SiO₂栅介质层的生长；之后进行表面形成源漏欧姆接触；之后进行栅图形的形成；之后进行电极制作，即完成SiC MOSFET器件沟道迁移率的改善。该改善SiC MOSFET器件沟道迁移率的方法改善了SiC MOSFET器件界面特性并提高了MIS器件沟道迁移率，可用于大规模SiC MIS器件和电路的制作。

主权项

1.一种改善SiC MOSFET器件沟道迁移率的方法，其特征在于，包括以下步骤：S1：SiC MOSFET器件基片表面清洗；S2：将步骤S1清洗后的SiC MOSFET器件进行离子注入；S3：在步骤S2处理后的SiC MOSFET器件的表面形成碳保护膜；S4：将步骤S3处理后的SiC MOSFET器件进行去除表面碳膜处理；S5：将步骤S4处理后的SiC MOSFET器件进行SiO2栅介质层的生长；S6：在步骤S5处理后的SiC MOSFET器件表面形成源漏欧姆接触；S7：将步骤S5处理后的SiC MOSFET器件进行栅图形的形成；S8：将步骤S6处理后的SiC MOSFET器件进行电极制作，即完成SiC MOSFET器件沟道迁移率的改善；其中，步骤S2具体包括以下步骤：S21高温As离子注入：将步骤S1清洗后的SiC MOSFET器件放入高温离子注入机，在400℃的温度下分四次进行高温As离子注入，所述As离子注入剂量和能量分别为：4.14×1011cm‑2/30K，4.37×1011cm‑2/55K，4.61×1011cm‑2/80K，12.1×1011cm‑2/125K；S22将步骤S21处理后的SiC MOSFET器件放入体积比为1∶10的氢氟酸与水的混合溶液漂洗，去除表面的SiO2层，所述氢氟酸的浓度为40％；S23源漏高温离子注入，具体按照以下步骤实施：S231将步骤S22处理后的SiC MOSFET器件采用等离子体增强化学气相沉积法进行表面SiO2层的淀积，所述SiO2层的厚度为60～70nm；S232在淀积了SiO2层的SiC MOSFET器件表面涂光刻胶，并光刻出源、漏区域；S233在HF酸溶液当中将SiC MOSFET器件未经光刻胶保护的SiO2层清洗掉，露出源漏高温离子注入区域；S234将步骤S233处理后的SiC MOSFET器件放入高温离子注入机，在400℃的温度下分四次进行高温氮离子注入，在400℃下分四次进行高温As离子注入，所述氮离子注入剂量和能量分别为：5×1014cm‑2/30K，6.0×1014cm‑2/60K，8×1014cm‑2/120K，1.5×1015cm‑2/190K；S235将步骤S234处理后的SiC MOSFET器件在HF溶液中进行清洗，去除SiC MOSFET器件表面的SiO2阻挡层；步骤S4具体包括以下步骤：S41将步骤S3处理后的SiC MOSFET器件放于高温退火炉中，将有碳膜的一面朝下，抽真空到10‑7Torr，充氩气，逐步升温到1600℃，在1600℃停留30分钟，进行高温离子注入退火，降至常温后取出；S42采用反应离子刻蚀法将步骤S41处理后的SiC MOSFET器件表面的碳膜去除；然后，还进行步骤B5：将步骤S42处理后的SiC MOSFET器件牺牲氧化层的生长处理，再将表面的氧化层清洗掉。