[发明专利]一种纳秒级上升沿脉冲电源有效
申请号: | 201510221391.4 | 申请日: | 2015-05-04 |
公开(公告)号: | CN104811082B | 公开(公告)日: | 2017-07-11 |
发明(设计)人: | 温显超;陈超;俞宙;李曦;李儒章;王育新;付东兵 | 申请(专利权)人: | 中国电子科技集团公司第二十四研究所 |
主分类号: | H02M9/00 | 分类号: | H02M9/00 |
代理公司: | 北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙)11350 | 代理人: | 汤东凤 |
地址: | 400060 *** | 国省代码: | 重庆;85 |
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摘要: | 本发明提供一种纳秒级上升沿脉冲电源,包括顺序连接的指令产生单元、通讯单元、中央控制单元、NMOS驱动单元和NMOS管,NMOS管接收来自NMOS驱动单元的第一驱动电压并导通,使二极管工作在截止状态,控制脉冲输出单元输出高电平电压为DC 5~15V可调单元输出的电压;以及接收来自NMOS驱动单元的第二驱动电压并关断,使二极管工作在导通状态,控制脉冲输出单元输出低电平电压为DC 1.2~5V可调单元输出的电压。本发明能够保证脉冲电源输出的脉冲电压上升沿时间小于100ns,从而有效保证了对多晶硅熔丝的集成电路的一次修调成功率,并且该脉冲电源输出的脉冲宽度、脉冲频率、脉冲的高电平直流电压和低电平直流电压可以进行调节,从而降低了高精度集成电路的生产成本。 | ||
搜索关键词: | 一种 纳秒级 上升 脉冲 电源 | ||
【主权项】:
一种纳秒级上升沿脉冲电源,其特征在于,包括指令产生单元、通讯单元、中央控制单元、NMOS驱动单元、NMOS管、二极管、脉冲输出单元、DC 5~15V可调单元和DC 1.2~5V可调单元;其中,指令产生单元,产生用于控制NMOS管通断的控制信号指令;通讯单元,接收来自指令产生单元的控制信号指令,并对该控制信号指令进行编码,产生能够被中央控制单元识别的控制信号码流;中央控制单元,接收来自通讯单元的控制信号码流,并根据内部算法解析控制信号码流的具体含义,产生相应的脉冲控制信号;NMOS驱动单元,接收中央控制单元发出的脉冲控制信号,当脉冲控制信号为高电平时产生第一驱动电压,当脉冲控制信号为低电平时产生第二驱动电压;NMOS管,接收来自NMOS驱动单元的第一驱动电压并导通,使二极管工作在截止状态,控制脉冲输出单元输出高电平电压为DC5~15V可调单元输出的电压;以及接收来自NMOS驱动单元的第二驱动电压并关断,使二极管工作在导通状态,控制脉冲输出单元输出低电平电压为DC 1.2~5V可调单元输出的电压;所述DC 1.2~5V可调单元包括第一低压差线性稳压器、第一电位器、第一电感器、第一电容器和第二电容器,所述第一低压差线性稳压器的调节端与第一电位器的一端连接,第一电位器的另一端接地,所述第一低压差线性稳压器的输出端与第一电感器的一端和第一电容器的一端连接,第一电感器的另一端与第二电容器的一端和二极管的阳极连接,第一电容器的另一端和第二电容器的另一端连接并接地。
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