[发明专利]相位移光罩及其制造方法有效
申请号: | 201510222082.9 | 申请日: | 2015-05-05 |
公开(公告)号: | CN106200255B | 公开(公告)日: | 2020-05-26 |
发明(设计)人: | 陈高惇 | 申请(专利权)人: | 华邦电子股份有限公司 |
主分类号: | G03F1/26 | 分类号: | G03F1/26;G03F1/38;H01L21/027 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 马雯雯;臧建明 |
地址: | 中国台湾台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | 本发明提供一种相位移光罩及其制造方法,此相位移光罩包括:基板、相位移层以及遮蔽层。相位移层位于所述基板上。相位移层的图案包括主图案以及次解析辅助图案。次解析辅助图案配置于所述主图案的周围。所述相位移层具有透射率,所述透射率大于6%。遮蔽层至少覆盖所述相位移层的所述次解析辅助图案。因此,本发明不仅能保留次解析辅助图案的功能(即增加光刻处理裕度),而且在经过曝光处理与显影处理后,次解析辅助图案不会成像在半导体衬底上。 | ||
搜索关键词: | 相位 移光罩 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种相位移光罩,其特征在于,包括:基板;相位移层,位于所述基板上,所述相位移层的图案包括:主图案;以及次解析辅助图案,配置于所述主图案的周围,其中所述相位移层具有透射率,所述透射率大于6%;以及遮蔽层,至少覆盖所述相位移层的所述次解析辅助图案。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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