[发明专利]自激励自旋单电子电磁场效应晶体管、制备方法及应用有效
申请号: | 201510222164.3 | 申请日: | 2015-04-30 |
公开(公告)号: | CN104779275B | 公开(公告)日: | 2017-11-28 |
发明(设计)人: | 张洪涛 | 申请(专利权)人: | 湖北工业大学 |
主分类号: | H01L29/66 | 分类号: | H01L29/66;H01L43/06 |
代理公司: | 武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙)42222 | 代理人: | 胡艳 |
地址: | 430068 湖北*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | 本发明公开了一种自激励自旋单电子自激励电磁场效应晶体管、制备方法及应用,该电磁场效应晶体管包括基板、源电极、漏电极、栅电极和纳米线有源区,源电极、漏电极和栅电极设置于基板上,纳米线有源区为源电极和漏电极之间的电流通道,纳米线有源区为掺杂有磁性金属的多型碳化硅纳米线。本发明室温可实现单电子库伦阻塞效应和单电子隧穿效应;同时,在实现单电子库伦阻塞和单电子隧穿效应时,单电子振荡产生变化电场,变化电场产生变化磁场,在施加源漏电压补充能量情况下,可呈现多结构的电磁振荡,产生皮安级的单电子自旋电流。本发明可作为量子信息的产生、转换、传输和存储的元件。 | ||
搜索关键词: | 激励 自旋 电子 电磁 场效应 晶体管 制备 方法 应用 | ||
【主权项】:
场效应晶体管,其特征在于:包括基板、源电极、漏电极、栅电极和纳米线有源区,源电极、漏电极和栅电极设置于基板上,纳米线有源区为源电极和漏电极之间的电流通道,所述的纳米线有源区为掺杂有磁性金属的多型碳化硅纳米线;所述的掺杂有磁性金属的多型碳化硅纳米线中磁性金属元素呈周期型分布。
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