[发明专利]一种铜锌锡硒太阳电池器件及其制备方法在审

专利信息
申请号: 201510222223.7 申请日: 2015-04-29
公开(公告)号: CN104867996A 公开(公告)日: 2015-08-26
发明(设计)人: 薛玉明;杭伟;冯少君;高林;李鹏宇;孙海涛;张奥;周玥昕;赵子震;陈国贤;夏宇;彭越浩;李冠颖;路孟玮 申请(专利权)人: 天津理工大学
主分类号: H01L31/032 分类号: H01L31/032;H01L31/18
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 300384 天津市南*** 国省代码: 天津;12
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摘要: 一种铜锌锡硒太阳电池器件,为基于聚酰亚胺膜-苏打玻璃复合衬底的铜锌锡硒太阳电池,由玻璃、聚酰亚胺、钼背接触层、铜锌锡硒吸收层、硫化镉缓冲层、透明窗口层高阻本征氧化锌薄膜、透明窗口层低阻氧化锌铝薄膜和铝上电极组成并形成叠层结构,其制备方法是:首先将聚酰亚胺胶涂于玻璃表面,固化成聚酰亚胺膜-苏打玻璃复合衬底,然后依次在其表面依次制备各层薄膜,在完整的铜锌锡硒太阳电池制备完成后,将其与苏打玻璃衬底分离,得到以聚酰亚胺膜为衬底的柔性铜锌锡硒太阳电池。本发明的优点是:该种基于聚酰亚胺膜-苏打玻璃复合衬底的铜锌锡硒薄膜结晶晶粒大;其制备方法是以钢性衬底制备柔性电池,易于实施,有利于大规模的推广应用。
搜索关键词: 一种 铜锌锡硒 太阳电池 器件 及其 制备 方法
【主权项】:
一种铜锌锡硒太阳电池器件,其特征在于:为基于聚酰亚胺膜‑苏打玻璃复合衬底的铜锌锡硒太阳电池,由玻璃、聚酰亚胺、钼背接触层、铜锌锡硒吸收层、硫化镉缓冲层、透明窗口层高阻本征氧化锌薄膜、透明窗口层低阻氧化锌铝薄膜和铝上电极组成并形成叠层结构,其中衬底由苏打玻璃及生长于其表面的聚酰亚胺膜构成,苏打玻璃的厚度为1.5‑2mm,聚酰亚胺膜厚度为25‑30μm;钼背接触层包括高阻层薄膜和低阻层薄膜,其中高阻层薄膜的厚度为80‑120nm,低阻层薄膜的厚度为600‑700nm;铜锌锡硒吸收层的化学分子式为Cu2ZnSnSe4,导电类型为p型,薄膜厚度为1.5‑2μm;硫化镉缓冲层的的导电类型为n型,厚度为45‑50nm;透明窗口层包括高阻本征氧化锌薄膜和低阻氧化锌铝薄膜,导电类型为n型,本征氧化锌薄膜的厚度为50‑100nm,氧化锌铝薄膜的厚度为0.4‑0.6μm;铝上电极薄膜的厚度为0.8‑1.5μm。
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