[发明专利]利用EMMI检测芯片静态漏电的辅助电路的设计方法有效

专利信息
申请号: 201510222506.1 申请日: 2015-05-04
公开(公告)号: CN104793129B 公开(公告)日: 2018-01-30
发明(设计)人: 车文毅 申请(专利权)人: 上海坤锐电子科技有限公司
主分类号: G01R31/311 分类号: G01R31/311;G01R31/02
代理公司: 上海新天专利代理有限公司31213 代理人: 张宁展
地址: 201203 上海市浦东*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明公开一种利用EMMI检测芯片静态漏电的辅助电路的设计方法,包括步骤①对待测集成电路芯片,根据电路功能,划分成N个单元模块;②根据单元模块的多少,设置数量与之相同的PN结二极管,即N个二极管;③对各个单元模块分别设置模块电流复制和放大电路,使每个模块电流复制和放大电路分别与和其相对应的单元模块和二极管相连。本发明将不易被EMMI检测出的故障类型,转换为易被EMMI检测出的PN结空穴电子复合电流的变化,只要失效样本的失效类型可以导致电流的变化,都可以被EMMI检测出来,同时,等效地增加了使用EMMI进行故障分析时的检测灵敏度。
搜索关键词: 利用 emmi 检测 芯片 静态 漏电 辅助 电路 设计 方法
【主权项】:
一种利用EMMI检测芯片静态漏电的辅助电路的设计方法,其特征在于,该方法包括如下步骤:①对待测集成电路芯片,根据电路功能,划分成N个单元模块;②根据单元模块的多少,设置数量与之相同的PN结二极管,即N个二极管;③对各个单元模块分别设置模块电流复制和放大电路,使每个模块电流复制和放大电路分别与和其相对应的单元模块和二极管相连,按照以下方式工作:a)各个单元模块的工作电流被复制和放大;b)将各个单元模块被复制和放大后的电流,依次施加到对应的PN结二极管上;c)用于复制和放大电流的电路,以及PN结二极管阵列,只在PN结发光模式下工作。
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