[发明专利]一种PVD活塞环的制备方法有效
申请号: | 201510223166.4 | 申请日: | 2015-05-05 |
公开(公告)号: | CN104847524B | 公开(公告)日: | 2017-07-28 |
发明(设计)人: | 卢求元;赵俊平;吴永强 | 申请(专利权)人: | 东风商用车有限公司 |
主分类号: | F02F5/00 | 分类号: | F02F5/00;C23C14/06;C23C14/16;C23C14/22 |
代理公司: | 武汉荆楚联合知识产权代理有限公司42215 | 代理人: | 王健 |
地址: | 430056 湖北省武汉市*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | 一种PVD活塞环,包括活塞环基体及其表面附着的复合涂层,复合涂层的厚度为10‐20μm,包括由内至外依次设置的纳米复合梯度过渡层、CrN层,其中,纳米复合梯度过渡层包括由内至外依次设置的Cr打底层、Cr过渡层、CrN过渡层,制备时,先在活塞环基体表面沉积Cr打底层,再逐层沉积Cr/CrN纳米复合梯度过渡层,然后采用循环控制偏压大小的方法沉积CrN层。本设计不仅获得了卓越的膜基结合力,而且摩擦系数小,磨损率低,显著降低了发动机摩擦功损失和燃油消耗。 | ||
搜索关键词: | 一种 pvd 活塞环 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种PVD活塞环的制备方法,其特征在于:所述PVD活塞环包括活塞环基体(1)及其表面附着的复合涂层(2),所述复合涂层(2)包括由内至外依次设置的纳米复合梯度过渡层(3)、CrN层(4),其中,所述纳米复合梯度过渡层(3)包括由内至外依次设置的Cr打底层(31)、Cr过渡层(32)、CrN过渡层(33);所述制备方法依次包括以下步骤:1、先将经过初步清洗的活塞环基体(1)置于真空室中,通入氩气进行辉光清洗,然后引燃金属Cr靶,在450‐750V偏压下沉积Cr打底层(31);2、先将偏压降至140‐160V后沉积Cr过渡层(32),再关闭金属Cr靶;3、先停止通入氩气,然后向真空室中通入氮气,再引燃金属Cr靶,将偏压降至130‐140V后沉积15‐20min;4、在80‐200V偏压下继续沉积至预定的沉积时间,此时,PVD活塞环制备完毕。
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