[发明专利]低温多晶硅薄膜晶体管及制作方法、阵列基板、显示装置在审
| 申请号： | 201510223672.3 | 申请日： | 2015-05-05 |
| 公开（公告）号： | CN104779171A | 公开（公告）日： | 2015-07-15 |
| 发明（设计）人： | 李兴华;暴军萍 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/28;H01L27/02 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 彭瑞欣;陈源 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种低温多晶硅薄膜晶体管及其制作方法、一种阵列基板和一种显示装置。所述低温多晶硅薄膜晶体管包括有源层、源极和漏极，所述有源层包括源极接触区、漏极接触区以及位于所述源极接触区和所述漏极接触区之间的沟道区，所述源极设置在所述源极接触区上方并通过源极过孔与所述源极接触区相连，所述漏极设置在所述漏极接触区的上方并通过漏极过孔与所述漏极接触区相连，所述源极接触区的厚度和所述漏极接触区的厚度均大于所述沟道区的厚度。本发明能够使得源极和漏极与有源层具有较大的接触面积，从而提高了低温多晶硅薄膜晶体管的可靠性和良率。 | ||
| 搜索关键词： | 低温 多晶 薄膜晶体管 制作方法 阵列 显示装置 | ||
【主权项】：
一种低温多晶硅薄膜晶体管，包括有源层、源极和漏极，所述有源层包括源极接触区、漏极接触区以及位于所述源极接触区和所述漏极接触区之间的沟道区，所述源极设置在所述源极接触区上方并通过源极过孔与所述源极接触区相连，所述漏极设置在所述漏极接触区的上方并通过漏极过孔与所述漏极接触区相连，其特征在于，所述源极接触区的厚度和所述漏极接触区的厚度均大于所述沟道区的厚度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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