[发明专利]晶片的加工方法

摘要

晶片的加工方法。晶片由基板和层叠体构成，通过层叠体形成多条分割预定线，在由分割预定线划分的各区域形成有器件，具有：在晶片的该层叠体上配设正面保护部件的正面保护部件配设步骤；保持步骤，在实施了该正面保护部件配设步骤后，隔着该正面保护部件通过保持单元保持晶片并使其基板侧露出；切削槽形成步骤，在实施了该保持步骤后，沿着该分割预定线在晶片的该基板上通过具有第一厚度的第一切削刀形成在厚度方向上未完全切断该基板的切削槽，并且在该切削槽的下方形成该基板的第一切削残余部；以及截断步骤，在实施了该切削槽形成步骤后，沿着该分割预定线通过具有比该第一厚度薄的第二厚度的第二切削刀或蚀刻截断该第一切削残余部和该层叠体。

主权项

1.一种晶片的加工方法，该晶片由基板和形成于该基板上的包含低介电常数绝缘膜的层叠体构成，且通过该层叠体形成了呈格子状交叉的多条分割预定线，并在由该分割预定线划分出的各区域上形成了器件，/n该加工方法的特征在于，具有：/n正面保护部件配设步骤，在晶片的该层叠体上直接配设正面保护部件；/n保持步骤，在实施了该正面保护部件配设步骤后，隔着该正面保护部件通过保持单元保持晶片并使其基板侧露出；/n第一切削槽形成步骤，在实施了该保持步骤后，沿着该分割预定线，在晶片的该基板上利用具有第一厚度的第一切削刀形成在厚度方向上未完全切断该基板的第一切削槽，并且在该第一切削槽的下方形成该基板的第一切削残余部；以及/n截断步骤，在实施了该第一切削槽形成步骤后，沿着该分割预定线，利用具有第二厚度的第二切削刀或蚀刻来直接截断该第一切削残余部和该层叠体，以防止在该层叠体的正面上产生分层和飞边，其中，该第二厚度比该第一厚度薄，/n在该第一切削槽形成步骤中，形成具有第一宽度的第一切削槽，/n该加工方法还具有第二切削槽形成步骤，该第二切削槽形成步骤如下：在实施了该第一切削槽形成步骤后且在实施该截断步骤之前，在该第一切削槽的底部形成具有第二宽度且在厚度方向上未完全切断该基板的第二切削槽，并且在该第二切削槽的下方形成该基板的第二切削残余部，其中，该第二宽度比该第一宽度窄。/n