[发明专利]合成反铁磁读取器有效
| 申请号： | 201510223858.9 | 申请日： | 2015-01-30 |
| 公开（公告）号： | CN105989857B | 公开（公告）日： | 2020-04-07 |
| 发明（设计）人： | V·B·萨波日尼科夫;T·G·泊克希尔;M·S·U·帕特瓦瑞 | 申请（专利权）人： | 希捷科技有限公司 |
| 主分类号： | G11B5/187 | 分类号： | G11B5/187 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 何焜 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本申请公开了合成反铁磁读取器。本文公开的实施方式提供了一种装置，包括合成的反铁磁读取器结构，其中钉扎层的总磁矩显著大于参考层的总磁矩。在一种实施方式中，显著减小钉扎层的钉扎强度。 | ||
| 搜索关键词： | 合成 反铁磁 读取器 | ||
【主权项】：
一种装置，包括：合成反铁磁(SAF)结构，其中所述SAF结构中的钉扎层的总磁矩MrT显著大于所述SAF结构中的参考层的总磁矩MrT。
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