[发明专利]一种片式薄膜固定电阻器的低阻保护层的制作方法在审
| 申请号： | 201510224389.2 | 申请日： | 2015-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN106148895A | 公开（公告）日： | 2016-11-23 |
| 发明（设计）人： | 罗彦军;罗向阳;韩玉成;席毅 | 申请（专利权）人： | 中国振华集团云科电子有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/10 | 分类号： | C23C14/10;C23C14/06;C23C14/35 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 550000 贵州省*** | 国省代码： | 贵州;52 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种片式薄膜固定电阻器的低阻保护层的制作方法，采用SiO2靶材射频溅射的方法，在镍铬电阻体膜层上沉积一层均匀的SiO2保护膜层。本发明使产品的稳定性和可靠性得到较大提升；对产品在高温高湿的严酷环境下使用有较明显的改善作用；台湾低阻靶材溅射的产品耐焊性有显著的改善；提高低阻热处理的一致性，使热处理温度提高，并且对产品的正负TCR无影响，能够达到在±5ppm/℃以内，所以该方法可以在薄膜电阻温度特性为±5ppm/℃的产品上应用，使片式薄膜固定电阻器低阻值段的TCR合格率得到较大提升，提升了产品的发货效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 薄膜 固定 电阻器 保护层 制作方法 | ||
【主权项】：
一种片式薄膜固定电阻器的低阻保护层的制作方法，其特征在于：该方法采用SiO2作为靶材，射频磁控溅射法在镍铬电阻体膜层上沉积一层均匀的SiO2保护膜层。
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