[发明专利]半导体结构的形成方法

摘要

一种半导体结构的形成方法，本发明对氮化硅硬掩膜层上残留的富硅化合物副产物进行处理，使其刻蚀选择比与上层硬掩膜层的刻蚀选择比相同；如此，在对上层硬掩膜层进行图案化时，该富硅化合物也进行了去除。上述方法避免了氮化硅硬掩膜层转移图形至掺杂多晶硅以形成栅极过程中，富硅化合物造成掺杂多晶硅残留，从而避免了该残留导致的MOS晶体管源、漏与栅之间的漏电以及短路问题。

主权项

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底内形成若干浅沟槽隔离结构，所述浅沟槽隔离结构隔开的半导体衬底为有源区，所述有源区的上表面低于浅沟槽隔离结构的顶表面；在所述浅沟槽隔离结构以及有源区表面自下而上形成一氧化层以及一掺杂多晶硅层；在所述掺杂多晶硅层表面沉积第一硬掩膜层，所述第一硬掩膜层的材质为氮化硅，所述第一硬掩膜层上具有富硅化合物副产物，采用臭氧水溶液或氧气对所述第一硬掩膜层进行处理，以氧化所述富硅化合物副产物；在处理后的第一硬掩膜层上形成第二硬掩膜层；光刻、干法刻蚀对所述第二硬掩膜层进行图案化，以图案化的第二硬掩膜层为掩膜，干法刻蚀所述第一硬掩膜层以对其图案化，干法刻蚀过程中，所述第二硬掩膜层的刻蚀选择比与氧化后的所述富硅化合物副产物的刻蚀选择比相同；以图案化的第一硬掩膜层为掩膜，干法刻蚀所述掺杂多晶硅层以及氧化层以分别形成栅极与栅氧化层，所述栅极与栅氧化层连续地横跨若干有源区以及隔绝相邻有源区的浅沟槽隔离结构。