[发明专利]鳍式场效应晶体管及其形成方法

摘要

一种鳍式场效应晶体管及其形成方法，包括：提供半导体衬底，半导体衬底表面形成有鳍部和隔离层；在隔离层表面形成横跨鳍部的伪栅结构；在所述隔离层表面形成介质层，介质层的表面与伪栅结构表面齐平；去除伪栅结构，形成凹槽；在凹槽内壁表面依次形成栅介质层、功函数层和非晶硅层，所述非晶硅层包括沿半导体衬底表面平行排列的第一区域、第二区域；刻蚀非晶硅层，形成阶梯非晶硅层，使阶梯非晶硅层的第一区域、第二区域分别具有不同的高度；进行退火处理，使位于阶梯非晶硅层的第一区域、第二区域下方的功函数层分别具有不同的功函数；去除阶梯非晶硅层，在功函数层表面形成金属栅极。上述方法有利于提高形成的鳍式场效应晶体管的性能。

主权项

1.一种鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底表面形成有鳍部和隔离层，所述隔离层表面低于鳍部的顶部表面且覆盖鳍部的部分侧壁；在所述隔离层表面形成横跨鳍部的伪栅结构，所述伪栅结构覆盖鳍部的顶部和侧壁；在所述隔离层表面形成介质层，所述介质层的表面与伪栅结构表面齐平；去除所述伪栅结构，形成凹槽；在所述凹槽内壁表面依次形成栅介质层、位于栅介质层上的功函数层和位于所述功函数层上的非晶硅层，所述非晶硅层表面与介质层表面齐平，所述非晶硅层包括沿半导体衬底表面平行排列的第一区域、第二区域；刻蚀所述非晶硅层，形成阶梯非晶硅层，使所述阶梯非晶硅层的第一区域、第二区域分别具有不同的高度；进行退火处理，使位于所述阶梯非晶硅层的第一区域、第二区域下方的功函数层分别具有不同的功函数；去除所述阶梯非晶硅层，在所述功函数层表面形成金属栅极。