[发明专利]深槽隔离防串扰的光电探测器及其制作方法

摘要

一种深槽隔离防串扰的光电探测器，包括由P型扩散层、衬底层和N型扩散层依次层叠而成的P‑i‑N层状结构，所述P‑i‑N层状结构上设置有隔离区，所述隔离区将P‑i‑N层状结构的光敏面划分为多个象限，其特征在于所述隔离区采用如下结构实现在P‑i‑N层状结构的光敏面上制作深槽，深槽的横截面轮廓与多个象限的外轮廓匹配，深槽的轴向与P‑i‑N层状结构的层叠方向相同，深槽的深度达到N型扩散层上端面，深槽内填充有绝缘物质。本发明的有益技术效果是实现了对象限光电探测器各象限的有效隔离，减少了光电探测器耗尽层的面积，减小了内部的结电容面积，减小了RC时间常数，提高了器件的响应速度，深槽位于象限光电探测器的体内，避免了表面态缺陷对器件的影响。

主权项

一种深槽隔离防串扰的光电探测器制作方法，其特征在于：按如下步骤制作：1)提供衬底层(2)；2)在衬底层(2)的上端面进行硼扩散，形成P型扩散层(1)；3)在P型扩散层(1)表面淀积氮化硅层(4)；4)在衬底层(2)的下端面进行磷扩散，形成N型扩散层(3)；由P型扩散层(1)、衬底层(2)和N型扩散层(3)依次层叠而成的结构体形成P‑i‑N层状结构；5)在氮化硅层(4)表面淀积铝层(5)，对氮化硅层(4)和铝层(5)进行刻蚀，刻蚀区域的横截面轮廓与多个象限的外轮廓匹配，刻蚀深度达到衬底层(2)的上端面；6)采用深槽工艺对刻蚀区域进行处理，在刻蚀区域范围内加工出深槽，深槽的轴向与P‑i‑N层状结构的层叠方向相同，深槽的深度达到N型扩散层(3)上端面；7)将氮化硅层(4)和铝层(5)去掉；8)在深槽内填充绝缘物质；绝缘物质外表面与P型扩散层(1)上端面齐平；9)在P型扩散层(1)表面淀积增透膜层(6)，并在增透膜层(6)上制作出电极(7)。