[发明专利]宽带隙高密度半导体开关器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201510227535.7 | 申请日： | 2015-05-06 |
| 公开（公告）号： | CN105206681B | 公开（公告）日： | 2020-12-08 |
| 发明（设计）人： | M·萨焦;S·拉斯库纳;F·罗卡福尔特 | 申请（专利权）人： | 意法半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L21/329 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华 |
| 地址： | 意大利阿格*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的各个实施例涉及宽带隙高密度半导体开关器件及其制造方法。开关器件(100)，诸如势垒结肖特基(JBS)二极管，具有第一导电类型的碳化硅的本体(101)，该本体(101)容纳有第二导电类型的开关区域(102)。开关区域从本体(101)的顶表面延伸并且在开关区域之间划定出本体表面部(104)。具有均匀化学物理特性的接触金属层(11)在本体的顶表面上延伸并且与本体的顶表面直接接触，并且与本体(101)的表面部(104)形成肖特基接触金属部以及与开关区域(102)形成欧姆接触金属部。通过将镍层或者钴层沉积在本体(101)上并且进行热处理从而使得该金属与本体的半导体材料反应从而形成硅化物，来形成接触金属层(110)。 | ||
| 搜索关键词： | 宽带 高密度 半导体 开关 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种开关器件(100)，包括：本体(101)，由半导体材料制成，具有表面(103)和第一导电性类型；开关区域(102)，具有第二导电性类型，所述开关区域在所述本体(101)中从所述表面延伸，并且在所述开关区域(102)之间划定出表面部(104)；肖特基接触金属部，在所述表面上，并且与所述表面部(104)直接接触；以及欧姆接触金属部，在所述表面上，并且与所述开关区域直接接触，其中所述肖特基接触金属部和所述欧姆接触金属部由具有均匀的化学物理特性的接触金属层(110)形成。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于意法半导体股份有限公司，未经意法半导体股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201510227535.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
