[发明专利]半导体结构及其制造方法

摘要

本发明提供了一种半导体结构及其制造方法。本发明的一些实施例提供了一种半导体器件，其包括衬底和衬底上的栅极结构。第一导电类型的第一阱区域位于衬底中，接近栅极结构的第一侧壁。第二导电类型的第二阱区域也位于衬底中，接近栅极结构的第二侧壁。导电区域设置在第二阱区域中。导电区域可以为外延区域。导电区域和栅极结构之间的第二阱区域内的化学组成与第二阱区域中的化学组成基本同质。

主权项

一种半导体器件，包括：衬底；栅极结构，位于所述衬底上；第一导电类型的第一阱区域，位于所述衬底中，定位为与所述栅极结构的第一侧壁邻近；第二导电类型的第二阱区域，位于所述衬底中，定位为与所述栅极结构的第二侧壁邻近，所述第二侧壁与所述第一侧壁相对；导电区域，设置在所述第二阱区域中，所述导电区域为外延区域；以及所述导电区域和所述栅极结构之间的所述第二阱区域内的化学组成基本与所述第二阱区域中的化学组成同质。