[发明专利]二次外延P型氮化物实现增强型HEMT的方法及增强型HEMT

摘要

本发明公开了一种二次外延P型氮化物实现增强型HEMT的方法及增强型HEMT。该方法包括：提供异质结构，并在所述异质结构上制作源、漏电极，使源、漏电极与异质结构表面形成欧姆接触且还均与异质结构中的二维电子气连接；对异质结构的位于栅电极正下方的势垒层(例如AlGaN层)和N型半导体层(例如i‑GaN层)的部分区域进行刻蚀，形成穿入N型半导体层内的凹槽；通过该凹槽在N型半导体层内生长P型半导体，该P型半导体能够在栅电极接零偏压时与N型半导体层形成PN结以及在栅电极接正向电压时反型而使源、漏电极导通；以及，在源、漏电极之间制作栅电极。本发明有效实现了增强型HEMT，且工艺简单，重复性高，成本低廉，易于进行大规模生产。

主权项

一种增强型HEMT，包括主要由N型半导体层和势垒层组成的异质结构及源、漏、栅电极，所述源、漏电极与异质结构表面形成欧姆接触，同时还均与异质结构中的二维电子气连接，所述栅电极设于源、漏电极之间，其特征在于，在位于所述栅电极正下方的N型半导体层的局部区域内分布有P型半导体，所述P型半导体被栅电极完全覆盖，且当栅电极接零偏压时，所述P型半导体与N型半导体层形成PN结，而当栅电极接正向电压时，所述P型半导体反型使源、漏电极导通。