[发明专利]基于宏弯损耗效应的光纤位移传感器有效

专利信息
申请号: 201510229468.2 申请日: 2015-05-07
公开(公告)号: CN105043264B 公开(公告)日: 2017-05-10
发明(设计)人: 刘文怡;侯钰龙;张会新;苏珊;刘佳;张彦军;沈三民;王红亮;苏淑婧;谭秋林;崔永俊;甄成方;雷海卫;赵利辉;熊继军;刘俊 申请(专利权)人: 中北大学
主分类号: G01B11/02 分类号: G01B11/02;G01B11/16
代理公司: 太原科卫专利事务所(普通合伙)14100 代理人: 朱源,武建云
地址: 030051 山*** 国省代码: 山西;14
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摘要: 发明的目的在于提供一种基于宏弯损耗效应的位移检测传感器。通过宏弯引起光纤内模场畸变,引起宏弯损耗。由两根塑料裸光纤形成双绞宏弯辐射耦合结构,利用宏弯损耗效应实现两根光纤之间的耦合,称为宏弯辐射耦合。通过宏弯半径改变宏弯损耗的光能量,引起接收光纤内光功率变化,从而实现对物体位移的检测。首次将宏弯辐射耦合结构应用于位移检测,同时实现了低成本,低功耗,高性能的位移传感器。
搜索关键词: 基于 损耗 效应 光纤 位移 传感器
【主权项】:
一种基于宏弯损耗效应的光纤位移传感器,其特征在于:包括两根光纤,其中一根为传光光纤(1),另一根为接收光纤(2),所述传光光纤(1)始端连接LED光源、终端连接光功率计P1,所述接收光纤(2)始端用黑色盖帽密封固定、终端连接光功率计P2;所述传光光纤(1)和接收光纤(2)通过双绞后形成宏弯辐射耦合结构(100);所述双绞宏弯辐射耦合结构(100)的始端固定,为固定端(101);终端移动,为移动端(102);所述宏弯辐射耦合结构(100)的圆周部分的弯曲半径等于阈值,所述阈值为当入射光(10)在传光光纤(1)的纤芯(3)‑包层(4)界面上的入射角θ等于全内反射角θc时所对应的弯曲半径,即设纤芯(3)的折射率为nco,包层(4)的折射率为ncl,那么θc=sin‑1(ncl/nco)。
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