[发明专利]基于闭环功率控制的共源共栅射频功率放大器有效
| 申请号： | 201510230614.3 | 申请日： | 2015-05-08 |
| 公开（公告）号： | CN104779920B | 公开（公告）日： | 2017-06-09 |
| 发明（设计）人： | 刘磊;徐志伟;路宁 | 申请（专利权）人： | 宜确半导体（苏州）有限公司 |
| 主分类号： | H03F1/30 | 分类号： | H03F1/30;H03F3/20;H03F3/189 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司32103 | 代理人： | 范晴 |
| 地址： | 215123 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于闭环功率控制的共源共栅射频功率放大器，包括至少一个由第一射频晶体管和第二射频晶体管组成的共源共栅晶体管对以及与之对应的由第三射频晶体管和第四射频晶体管组成的虚设共源共栅晶体管对，所述共源共栅晶体管对并联连接，所述第三射频晶体管和第四射频晶体管作为第一射频晶体管和第二射频晶体管的虚设晶体管可以实现功率放大器功率控制的温度补偿和工艺偏差补偿。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 闭环 功率 控制 共源共栅 射频 功率放大器 | ||
【主权项】：
一种基于闭环功率控制的共源共栅射频功率放大器，其特征在于，包括至少一个由第一射频晶体管和第二射频晶体管组成的共源共栅晶体管对以及与之对应的由第三射频晶体管和第四射频晶体管组成的虚设共源共栅晶体管对，所述虚设共源共栅晶体管对的中间节点 NODE A的电压等于功率控制单元的要求电压，所述共源共栅晶体管对并联连接；第一射频晶体管的栅极连接输入信号端，第一射频晶体管的栅极还与第三射频晶体管的栅极连接，第二射频晶体管的栅极与第四射频晶体管的栅极连接，第一射频晶体管的源极与第三射频晶体管的源极接地，第一射频晶体管的漏极连接第二射频晶体管的源极，第三射频晶体管的漏极连接第四射频晶体管的源极；第二射频晶体管的漏极通过扼流电感连接供电电压端，第四射频晶体管的漏极连接供电电压端，第二射频晶体管的漏极还连接输出信号端；第一去耦电容的一端与供电电压端连接，另一端接地；第一射频晶体管的栅极还连接第一偏置电路，第二射频晶体管的栅极还连接第一运算放大器的输出端，并连接第二去耦电容，第二去耦电容的另一端接地；所述第一偏置电路和第一运算放大器的同相输入端分别连接功率控制单元，所述第一运算放大器的反相输入端连接第三射频晶体管的漏极，所述功率控制单元具有至少一个用于调整第一偏置电路和第一运算放大器的输出偏置电压的输入控制信号端。
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