[发明专利]半导体器件栅极上形成金属硅化物的制备方法

摘要

本发明提供一种半导体器件栅极上形成金属硅化物的制备方法，该方法包括：在半导体硅基底的表面上依次形成栅氧化层、低阻化多晶硅层之后；在低阻化多晶硅层的表面上沉积氮化硅，形成氮化硅层；经过光刻、刻蚀后形成栅极，再形成体区、源区和漏区；整个器件的表面上形成氧化层；去除氮化硅层表面上的氧化层，去除氮化硅层；在整个器件表面上覆盖金属层后，在低阻化多晶硅层表面上的金属层反应形成金属硅化物，再去除未反应的金属层。实现了防止半导体器件出现漏电的问题，提高了半导体器件的可靠性。

主权项

1.一种半导体器件栅极上形成金属硅化物的制备方法，其特征在于，包括：在半导体硅基底的表面上形成栅氧化层后，在所述栅氧化层的表面上形成低阻化多晶硅层；在所述低阻化多晶硅层的表面上沉积氮化硅，形成氮化硅层；对所述栅氧化层、所述低阻化多晶硅层和所述氮化硅层进行光刻和刻蚀，形成所述半导体器件的栅极；形成半导体器件的体区、源区和漏区；在所述源区、所述漏区和所述氮化硅层的表面上，以及所述低阻化多晶硅层的侧面上形成氧化层；利用氢氟酸溶液，去除所述氮化硅层表面上的氧化层；利用热磷酸溶液，去除所述氮化硅层；在整个器件表面上覆盖金属层；利用惰性气体作为保护气体，对所述硅基底进行高温退火处理，以通过所述低阻化多晶硅层和位于所述低阻化多晶硅层表面上的金属层反应形成金属硅化物；去除未与所述低阻化多晶硅层反应的金属层；在所述氮化硅层的表面上形成氧化硅层的厚度小于在所述源区和所述漏区的表面以及所述低阻化多晶硅层的侧面上形成氧化硅层厚度。