[发明专利]IGBT芯片的控制方法

摘要

本发明公开了一种IGBT芯片的控制方法，包括：当IGBT处于正向导通时，控制开关Ｑ处于关闭状态，PN结J₂处于反向偏置状态，J₁处于正偏状态，由于隔离罩的作用，电场对电极N₂⁺无影响；当IGBT处于反向导通时，控制开关Ｑ处于开启状态，PN结J₁处于反偏状态，PN结J₂处于正偏状态，电子流出受P⁺势垒的影响受阻后，向电极N₂⁺运动，通过控制开关Ｑ运动流出。本发明在不影响性能参数的同时基本解决了拖尾（snapback），并有效的将二极管集成在IGBT内部，真正实现了IGBT既有低的导通压降又有良好的开关速度，大大提高了器件的可靠性。

主权项

1.一种IGBT芯片的控制方法，其特征在于：当IGBT处于正向导通时，控制开关Ｑ处于关闭状态，P型沟道(103)与漂移区(101)所形成的PN结J₂处于反向偏置状态，P型集电极(104)与漂移区(101)所形成的PN结J₁处于正偏状态，由于隔离罩的作用，电场对电极N₂⁺无影响；当IGBT处于反向导通时，控制开关Ｑ处于开启状态，P型集电极(104)与漂移区(101)所形成的PN结J₁处于反偏状态，P型沟道(103)与漂移区(101)所形成的PN结J₂处于正偏状态，电子流出受漂移区（101）与P型集电极（104）间的P⁺势垒的影响受阻后，向电极N₂⁺运动，通过控制开关Ｑ运动流出；IGBT芯片的IGBT单元设置隔离罩内，隔离罩设置在电极N₂⁺内，控制开关Ｑ分别与电极N₂⁺和三极管连接；所述控制开关Ｑ与P型沟道（103）、漂移区（101）和P型集电极（104）形成的PNP三极管的P型集电极（104）连接。