[发明专利]太阳能电池及其背面电极的制造方法

摘要

本发明公开了一种太阳能电池及其背面电极的制造方法，所述太阳能电池的背面电极的制造方法是先于一半导体基板上执行网印工艺，量测所述网印工艺中激光剥蚀刻痕与背面电极的偏移量，接着根据上述偏移量调整激光剥蚀刻痕的间距，使后续其他半导体基板在进行网印工艺时，背面电极与激光剥蚀刻痕的偏移量可以控制在更小的范围内。如此一来，肇因于背面电极未能完全覆盖激光剥蚀刻痕的工艺缺陷将可显著地改善。

主权项

一种太阳能电池的背面电极的制造方法，其特征在于，包含：(a)提供一半导体基板，所述半导体基板掺杂有一第一型掺质，具有一第一表面与相对于所述第一表面的一第二表面，所述第一表面上设有第一钝化层，所述第一钝化层具有至少m个第一穿孔，m为大于1的正整数，各所述第一穿孔沿X轴方向间隔排列，相邻二所述第一穿孔的中心相隔一第一间距a；(b)提供一网板，所述网板具有至少m个网孔，各所述网孔沿X轴方向间隔排列，相邻二所述网孔的中心实质上相隔所述第一间距a，所述m个网孔分别地对应各所述第一穿孔；(c)藉由所述网板以一网印工艺形成至少m个背面电极于所述第一表面；(d)量测所述背面电极的中心与位于其下方的所述第一穿孔的中心在X轴方向上的一最大间距S；及(e)根据所述最大间距S调整另一半导体基板的相邻二第一穿孔的中心的距离为一第二间距b，所述第二间距b大于所述第一间距a。