[发明专利]一种半导体器件及其制造方法

摘要

本发明提供一种半导体器件及其制造方法，该器件包括：半导体衬底，半导体衬底内具有相邻的NFET区域和PFET区域，半导体衬底包括基底、位于基底上的埋氧层以及形成于埋氧层上的跨越NFET区域和PFET区域的鳍片；形成于NFET区域内的无结NFET和形成于PFET区域内的反型模式PFET，无结NFET具有完全金属硅化物源极和漏极，反型模式PFET的P型浅掺杂漏极掺杂区域与无结NFET的漏极相连。无结NFET通过完全金属硅化物技术可以实现电流不仅在表面传导还可以在体内传导的传导机制，其在沟道区完全耗尽时关闭。本发明的半导体器件具有优异的性能，可以使得在非理想界面下GeFinFET器件发生强的电子反转。

主权项

1.一种半导体器件，其特征在于，包括：半导体衬底，所述半导体衬底内具有相邻的NFET区域和PFET区域，所述半导体衬底包括基底、位于所述基底上的埋氧层以及形成于所述埋氧层上的跨越所述NFET区域和所述PFET区域的鳍片；形成于所述NFET区域内的无结NFET和形成于所述PFET区域内的反型模式PFET，其中，所述无结NFET包括：形成于所述NFET区域内的部分所述鳍片两侧和顶面上的第一栅极结构，位于所述第一栅极结构与所述鳍片相交的区域内的N+型沟道区，位于所述第一栅极结构两侧的所述NFET区域内的所述鳍片中的完全金属硅化物N+型源极和N+型漏极；所述反型模式PFET包括：形成于所述PFET区域的部分所述鳍片两侧和顶面上的第二栅极结构，位于所述第二栅极结构与所述鳍片相交的区域内的N型沟道区，位于所述第二栅极结构两侧的所述PFET区域内的部分所述鳍片中的P型浅掺杂源极掺杂区域和P型浅掺杂漏极掺杂区域，分别位于所述P型浅掺杂源极掺杂区域和P型浅掺杂漏极掺杂区域中的P+型源极和P+型漏极；所述反型模式PFET的P型浅掺杂漏极掺杂区域与所述无结NFET的漏极相连。