[发明专利]半导体器件有效

专利信息
申请号: 201510232509.3 申请日: 2015-05-08
公开(公告)号: CN105895145B 公开(公告)日: 2020-10-27
发明(设计)人: 高桥弘行 申请(专利权)人: 瑞萨电子株式会社
主分类号: G11C11/4074 分类号: G11C11/4074;G11C11/408;G11C11/4091;H01L27/108
代理公司: 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 代理人: 罗银燕
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明提供了一种半导体器件,其包括:包括以矩阵设置的多个存储器单元的存储器单元阵列;以及与所述存储器单元阵列相邻的周边电路。所述存储器单元中的每一个包括:电容元件,包括具有在与基板的主表面垂直的方向上延伸的柱面形状的下电极;以及设置在所述电容元件与位线之间的开关晶体管,所述开关晶体管的接通/关断基于字线的电势来控制。所述周边电路包括在与所述主表面平行的水平方向上与所述下电极相邻并被供给固定电势的信号线、或分别被供给互补电势的一对信号线。
搜索关键词: 半导体器件
【主权项】:
一种半导体器件,包括:存储器单元阵列,所述存储器单元阵列包括以矩阵设置的多个存储器单元;以及周边电路,所述周边电路与所述存储器单元阵列相邻,其中,所述存储器单元中的每一个包括:电容元件,所述电容元件包括具有在与基板的主表面垂直的方向上延伸的柱面形状的下电极;以及开关晶体管,所述开关晶体管设置在所述电容元件与位线之间,所述开关晶体管的接通/关断基于字线的电势来控制,以及所述周边电路包括:在与主表面平行的水平方向上与下电极相邻并且被供给固定电势的信号线、或分别被供给互补电势的一对信号线。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于瑞萨电子株式会社,未经瑞萨电子株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201510232509.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top