[发明专利]一种具有光谱选择性低发射率的红外隐身薄膜及其制备方法有效
| 申请号： | 201510232544.5 | 申请日： | 2015-05-08 |
| 公开（公告）号： | CN104865617B | 公开（公告）日： | 2017-03-08 |
| 发明（设计）人： | 程海峰;李俊生;彭亮;郑文伟;张朝阳;周永江;刘海韬 | 申请（专利权）人： | 中国人民解放军国防科学技术大学 |
| 主分类号： | G02B1/10 | 分类号： | G02B1/10;B32B19/00;C23C14/35 |
| 代理公司： | 长沙朕扬知识产权代理事务所(普通合伙)43213 | 代理人： | 杨斌 |
| 地址： | 410073 湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 一种具有光谱选择性低发射率的红外隐身薄膜，其为多层叠加结构，且其中包含有由高折射率材料层和低折射率材料层交替叠加组成的周期性叠层结构；该结构中各膜层的厚度在100～900nm之间无规律分布，且结构中至少有一定数量的膜层的光学厚度接近λ/4；λ是指红外窗口波段内的任意波长；该薄膜的制备方法包括衬底清洗；采用射频磁控溅射方法在衬底材料上溅射镀Ge薄膜；采用射频磁控溅射方法在高折射率材料层上溅射镀MgF2薄膜；重复前述步骤多个周期，并结合对设计厚度的交替控制，得到有光谱选择性低发射率的红外隐身薄膜。本发明的制备工艺简单、重复性好、设备要求低，且产品性能优异，应用效果较好。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 光谱 选择性 发射 红外 隐身 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种具有光谱选择性低发射率的红外隐身薄膜，所述红外隐身薄膜为可对光谱的发射辐射进行调控的薄膜，其特征在于，所述红外隐身薄膜为多层叠加结构，且多层叠加结构中包含有由高折射率材料层和低折射率材料层交替叠加组成的周期性叠层结构；靠近红外隐身薄膜的衬底材料设置为高折射率材料层；所述高折射率材料层和低折射率材料层交替叠加的周期有四个，由内到外依次为高折射率材料层H1、低折射率材料层L1、高折射率材料层H2、低折射率材料层L2、高折射率材料层H3、低折射率材料层L3、高折射率材料层H4、低折射率材料层L4；所述多层叠加结构中各膜层的厚度在100nm～900nm之间无规律分布，且多层叠加结构中至少有一定数量的膜层的光学厚度接近λ/4；所述高折射率材料层H1的厚度为480.0±10.0nm，所述低折射率材料层L1的厚度为235.0±10.0nm，所述高折射率材料层H2的厚度为150.0±10.0nm，所述低折射率材料层L2的厚度为230.0±10.0nm，所述高折射率材料层H3的厚度为210.0±10.0nm，所述低折射率材料层L3的厚度为800.0±10.0nm，所述高折射率材料层H4的厚度为300.0±10.0nm，所述低折射率材料层L4的厚度为520.0±10.0nm；所述λ是指红外窗口波段内的任意波长；所述红外隐身薄膜在3.0μm～5.0μm和8.0μm～14.0μm的红外窗口波段实现低发射，其发射率在0.1以下；所述红外隐身薄膜在5.0μm～8.0μm的非窗口波段实现高发射，其发射率在0.7以上；所述高折射率材料层为单晶Ge材料层，所述低折射率材料层为MgF2材料层。
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