[发明专利]具有光谱选择性低发射率的红外隐身薄膜及其制备方法

摘要

一种具有光谱选择性低发射率的红外隐身薄膜，其为多层叠加结构，且其中包含有由高折射率材料层和低折射率材料层交替叠加组成的周期性叠层结构；该结构包括复合叠加的中心波长分别为λ1、λ2的第一多层膜结构和第二多层膜结构，且3.0μm≤λ1≤5.0μm，8.0μm≤λ2≤14.0μm；其制备方法包括衬底清洗；采用射频磁控溅射方法在衬底材料上溅射镀Si薄膜，采用射频磁控溅射方法在高折射率材料层上溅射镀ZnS薄膜；重复前述步骤多个周期，并结合对设计厚度的交替控制，得到有光谱选择性低发射率的红外隐身薄膜。本发明的制备工艺简单、重复性好、设备要求低，产品性能优异，应用效果较好。

主权项

一种具有光谱选择性低发射率的红外隐身薄膜，所述红外隐身薄膜为可对光谱的发射辐射进行调控的薄膜，所述红外隐身薄膜为多层叠加结构，其特征在于，所述多层叠加结构中包含有由高折射率材料层和低折射率材料层交替叠加组成的周期性叠层结构；所述周期性叠层结构包括复合叠加的第一多层膜结构和第二多层膜结构，所述第一多层膜结构的中心波长为λ1，所述第二多层膜结构的中心波长为λ2，且3.0μm≤λ1≤5.0μm，8.0μm≤λ2≤14.0μm；所述高折射率材料层为Si材料层，所述低折射率材料层为ZnS材料层；所述第一多层膜结构由薄型高折射率材料层H1和薄型低折射率材料层L1交替叠加两个周期后复合而成，且由内而外依次为H1‑L1‑H1‑L1，所述薄型高折射率材料层H1的厚度为294.0±10.0nm，所述薄型低折射率材料层L1的厚度为463.0±10.0nm；所述第二多层膜结构由厚型高折射率材料层H2和厚型低折射率材料层L2交替叠加两个周期后复合而成，且由内而外依次为H2‑L2‑H2‑L2，所述厚型高折射率材料层H2的厚度为809.0±10.0nm，所述厚型低折射率材料层L2的厚度为1273.0±10.0nm。