[发明专利]一种在硅微通道板中生长石墨烯的方法在审
| 申请号： | 201510232694.6 | 申请日： | 2015-05-08 |
| 公开（公告）号： | CN104828772A | 公开（公告）日： | 2015-08-12 |
| 发明（设计）人： | 王连卫;吴大军 | 申请（专利权）人： | 华东师范大学 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 上海伯瑞杰知识产权代理有限公司 31227 | 代理人： | 吴泽群 |
| 地址： | 200062 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种在硅微通道板中生长石墨烯的方法，包括以下步骤：(1)预处理：将硅微通道板浸泡在腐蚀液中；(2)无电镀镍：将预处理后的硅微通道板放入无电镀镍溶液中，进行化学镀多孔镍；(3)水热多元醇渗碳：表面活性剂再次浸泡镀镍硅微通道板，将其放入装有多元醇和钠盐催化剂的水热反应釜中；(4)退火：含有碳化镍的硅微通道板在管式炉中退火。与现有技术相比，该方法克服了利用电泳技术将石墨烯塞入硅微通道无法实现的困难；同时，避免了利用化学气相沉积方法生长石墨烯工艺复杂、成本高的缺点。能够在高深宽比的镀镍硅微通道板表面和孔内生长多层石墨烯，该方法环境友好，简单易行，成本低廉等特点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 通道 生长 石墨 方法 | ||
【主权项】：
一种在硅微通道板中生长石墨烯的方法，其特征在于：包括以下步骤：(1)预处理：将硅微通道板浸泡在以氢氟酸为主的腐蚀液中，去除表面自然生长的二氧化硅，使用表面活性剂活化硅微通道板；(2)无电镀镍：将预处理后的硅微通道板放入一定温度的无电镀镍溶液中，进行化学镀多孔镍；(3)水热多元醇渗碳：表面活性剂再次浸泡镀镍硅微通道板，将其放入装有多元醇和钠盐催化剂的水热反应釜中，一定温度和时间后，形成碳化镍；(4)退火：含有碳化镍的硅微通道板在管式炉中退火，使得碳化镍中的碳析出，形成多层石墨烯，并包覆在镀镍硅微通道的内壁和上表面。
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