[发明专利]一种高频水平双扩散氧化物半导体器件及其制作方法

摘要

本发明涉及一种高频水平双扩散氧化物半导体器件及其制造方法，所述方法包括：在外延层上表面依次生成第一垫氧化层和第一氮化硅层；在第一氮化硅层上定义下沉区域，并去除下沉区域的第一氮化硅层的氮化硅；在下沉区域进行离子注入，形成下沉区；在下沉区域的第一垫氧化层表面通过热氧化生成预设厚度的氧化层；分别去除第一氮化硅层、氧化层和第一垫氧化层，在下沉区域的外延层上形成凹槽；依次在外延层上生成第二垫氧化层和第二氮化层，并定义有源区域；根据定义的有源区域制备有源区。本发明通过硅局部氧化技术形成对准凹槽，避免了刻蚀硅形成凹槽过程中的等离子损伤，同时不会造成离子注入区的断面，有效降低了器件的导通电阻。

主权项

1.一种高频水平双扩散氧化物半导体器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括：在外延层上表面依次生成第一垫氧化层和第一氮化硅层；在所述第一氮化硅层上定义下沉区域，并去除所述下沉区域的第一氮化硅层的氮化硅；在所述下沉区域进行离子注入，形成下沉区；在所述下沉区域的第一垫氧化层表面通过热氧化生成预设厚度的氧化层，所述氧化层的厚度大于所述第一垫氧化层的厚度；分别去除所述第一氮化硅层、氧化层和第一垫氧化层，在所述下沉区域的外延层上形成凹槽，所述凹槽的底部与所述凹槽之外的外延层的表面平行，所述凹槽的底部宽度小于所述凹槽的顶部开口宽度；依次在所述外延层上生成第二垫氧化层和第二氮化层，并将所述第二氮化硅层上的凹槽为对准标记定义有源区域；根据定义的所述有源区域制备有源区。