[发明专利]一种确定连通存储元件中的接触塞的缺陷的方法有效
申请号: | 201510233147.X | 申请日: | 2015-05-08 |
公开(公告)号: | CN106206344B | 公开(公告)日: | 2019-02-01 |
发明(设计)人: | 殷原梓 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
代理公司: | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人: | 董巍;高伟 |
地址: | 201203 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明提供一种确定连通存储元件中的接触塞的缺陷的方法,包括:预处理存储元件,露出作为位线的受控金属层,包括失效的第一位线和第二位线;将存储元件按侧面朝上即第一位线处于第二位线上方的方式置于研磨台,实施研磨直至露出第一位线;沉积介电层,覆盖存储元件的顶面部分及其露出第一位线的侧面部分;在介电层中形成通孔,露出第一位线的部分侧面或者顶端电连接第一位线的多个接触塞中的任意一个的部分侧面;在通孔中形成金属接触;将存储元件按另一侧面朝上即第二位线处于第一位线上方的方式置于研磨台,实施研磨直至露出第二位线;去除第二位线;确定缺陷的位置。根据本发明,检测前的预处理过程更为简单,不会破坏所述缺陷。 | ||
搜索关键词: | 一种 确定 连通 存储 元件 中的 接触 缺陷 方法 | ||
【主权项】:
1.一种确定连通存储元件中的接触塞的缺陷的方法,包括:预处理所述存储元件,以露出作为位线的受控金属层,所述受控金属层包括失效的第一位线和第二位线;将所述存储元件按侧面朝上即所述第一位线处于所述第二位线上方的方式置于研磨台上,研磨所述存储元件直至露出所述第一位线;沉积介电层,以覆盖所述存储元件的顶面部分以及所述存储元件的露出所述第一位线的侧面部分;在介电层中形成一通孔,以露出所述第一位线的部分侧面或者顶端电连接所述第一位线的多个接触塞中的任意一个的部分侧面;在所述通孔中形成金属接触;将所述存储元件按另一侧面朝上即所述第二位线处于所述第一位线上方的方式置于研磨台上,研磨所述存储元件直至露出所述第二位线;去除所述露出的第二位线;采用VC检测方法确定所述缺陷在所述存储元件中的位置。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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