[发明专利]一种确定连通存储元件中的接触塞的缺陷的方法有效

专利信息
申请号: 201510233147.X 申请日: 2015-05-08
公开(公告)号: CN106206344B 公开(公告)日: 2019-02-01
发明(设计)人: 殷原梓 申请(专利权)人: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
主分类号: H01L21/66 分类号: H01L21/66
代理公司: 北京市磐华律师事务所 11336 代理人: 董巍;高伟
地址: 201203 *** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明提供一种确定连通存储元件中的接触塞的缺陷的方法,包括:预处理存储元件,露出作为位线的受控金属层,包括失效的第一位线和第二位线;将存储元件按侧面朝上即第一位线处于第二位线上方的方式置于研磨台,实施研磨直至露出第一位线;沉积介电层,覆盖存储元件的顶面部分及其露出第一位线的侧面部分;在介电层中形成通孔,露出第一位线的部分侧面或者顶端电连接第一位线的多个接触塞中的任意一个的部分侧面;在通孔中形成金属接触;将存储元件按另一侧面朝上即第二位线处于第一位线上方的方式置于研磨台,实施研磨直至露出第二位线;去除第二位线;确定缺陷的位置。根据本发明,检测前的预处理过程更为简单,不会破坏所述缺陷。
搜索关键词: 一种 确定 连通 存储 元件 中的 接触 缺陷 方法
【主权项】:
1.一种确定连通存储元件中的接触塞的缺陷的方法,包括:预处理所述存储元件,以露出作为位线的受控金属层,所述受控金属层包括失效的第一位线和第二位线;将所述存储元件按侧面朝上即所述第一位线处于所述第二位线上方的方式置于研磨台上,研磨所述存储元件直至露出所述第一位线;沉积介电层,以覆盖所述存储元件的顶面部分以及所述存储元件的露出所述第一位线的侧面部分;在介电层中形成一通孔,以露出所述第一位线的部分侧面或者顶端电连接所述第一位线的多个接触塞中的任意一个的部分侧面;在所述通孔中形成金属接触;将所述存储元件按另一侧面朝上即所述第二位线处于所述第一位线上方的方式置于研磨台上,研磨所述存储元件直至露出所述第二位线;去除所述露出的第二位线;采用VC检测方法确定所述缺陷在所述存储元件中的位置。
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