[发明专利]一种半导体器件及其制作方法和电子装置在审
| 申请号： | 201510233568.2 | 申请日： | 2015-05-08 |
| 公开（公告）号： | CN106206411A | 公开（公告）日： | 2016-12-07 |
| 发明（设计）人： | 黄子伦;许清秀 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L27/105 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件及其制作方法和电子装置，所述方法包括：提供半导体衬底，在半导体衬底上形成有鸟嘴形场氧，以及覆盖半导体衬底以及部分鸟嘴形场氧的图案化的硬掩膜层；以图案化的硬掩膜层为掩膜，依次对暴露的部分鸟嘴形场氧和半导体衬底进行刻蚀，以形成沟槽，并保留鸟嘴形场氧位于硬掩膜层和半导体衬底之间的鸟嘴；形成隔离材料层填充沟槽并覆盖所述硬掩膜层；执行化学机械研磨停止于硬掩膜层内；回蚀刻去除所述图案化的硬掩膜层，以形成浅沟槽隔离结构。根据本发明的制作方法，可以有效改善STI填充的隔离材料层拐角处缺角问题的出现，同时又保留了鸟嘴，通过鸟嘴效应显著提高器件的阈值电压，进而提高了器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 制作方法 电子 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体器件的制作方法，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有鸟嘴形场氧，以及覆盖所述半导体衬底以及部分所述鸟嘴形场氧的图案化的硬掩膜层；以所述图案化的硬掩膜层为掩膜，依次对暴露的部分所述鸟嘴形场氧和所述半导体衬底进行刻蚀，以形成沟槽，并保留所述鸟嘴形场氧位于所述硬掩膜层和半导体衬底之间的鸟嘴；形成隔离材料层填充所述沟槽并覆盖所述硬掩膜层；执行化学机械研磨停止于所述硬掩膜层内；回蚀刻去除所述图案化的硬掩膜层，以形成浅沟槽隔离结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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