[发明专利]一种采用假鳞茎诱导石仙桃植株再生及繁殖的方法

摘要

本发明属于濒危野生植物中重要植物材料快速繁殖方法，特别是涉及一种采用假鳞茎诱导石仙桃植株再生及繁殖的方法。该方法包括材料选取与消毒、诱导培养、增殖培养、诱导生根和移栽。本发明为了解决现有技术中种子在自然状况下极难萌发、自然繁衍能力、传播扩散能力不强，自然更新困难、分株繁殖速度慢等问题，为规模化、产业化生产提供技术支持。本发明增殖系数高、生根率高，植物生长需求时间短，栽培后适应性强，苗木健壮挺拔，长势良好，整齐一致，大大缩短了苗木培养过程，节约了大量成本。为石仙桃的保护，以及规模化、产业化生产推广应用提供技术支持。

主权项

一种采用假鳞茎诱导石仙桃植株再生及繁殖的方法，其特征在于：该方法包括以下步骤：1）材料选取与消毒：选取新鲜饱满的石仙桃假鳞茎为外植体，去除叶2/3部分和假鳞茎周围杂质，用洗涤剂漂洗干净，置于流水中冲滴0.5‑1h，然后进行消毒处理，消毒完成后进行接种；2） 诱导培养：将经消毒处理的材料，经滤纸吸干表面水分后接种于经高温、高压灭菌的鳞茎芽诱导培养基中；培养条件：培养室温度为23±2℃，光照时间8h/d，光照强度500～1000lx；3） 增殖培养：将经上述诱导培养，所得到的生长良好的直径成长为0.2‑0.5 cm的假鳞茎，接种在增殖培养基中，光照时间8h/d，光照强度1000～1500lx；4） 诱导生根：将增殖培养出来的带有小叶片的假鳞茎无根幼苗单株，转移到生根培养基中；光照时间10h/d，光照强度1500～1800lx；5）移栽：当诱导生根培养试管苗生长至根1～3条，新叶1‑2片时，将试管苗放在自然光下炼苗5～7天，打开瓶盖炼苗1‑2天；然后取出培养苗，洗去附着在根系上的培养基，移入水草和腐殖土质量比为1:2的混合基质中，保湿遮阴，温度控制在15～25℃，湿度应保持在75％～85％，避免阳光直射，获得生长健壮的完整再生植株；所述鳞茎芽诱导培养基：VW+2.0 mg/L 6‑BA +0.01 mg/L TDZ+0.3mg/L NAA+ 1.5g·L‑1蛋白胨+25g/L Su+6.5g/L Ag+1.5 g·L‑1 Ac+30 g·L‑1 香蕉+60 g·L‑1土豆，pH值为5.4‑5.6；Ag为Agar培养基凝固剂和支持物琼脂粉的缩写；所述增殖培养基：VW+3.0mg/L 6‑BA +0.01 mg/L TDZ+ 0.5mg/L NAA + 2g·L‑1蛋白胨+30 g·L‑1 香蕉+70 g·L‑1土豆+25g/L Su+6.5g/L ‑1 Ag+1.5 g·L‑1Ac，pH值为5.4‑5.6；Ag为Agar培养基凝固剂和支持物琼脂粉的缩写；所述生根培养基：1/2VW+1.0 mg/L IBA+0.3 mg/L NAA+25g/L Su+6.5g/L Ag+1.5 g·L‑1Ac，pH值为5.4‑5.6；Ag为Agar培养基凝固剂和支持物琼脂粉的缩写。