[发明专利]一种石斛组培芽快速增殖的方法有效
| 申请号： | 201510234922.3 | 申请日： | 2015-05-11 |
| 公开（公告）号： | CN104823853B | 公开（公告）日： | 2017-06-06 |
| 发明（设计）人： | 李德文;梁泽然 | 申请（专利权）人： | 安徽康尔欣生物制药有限公司 |
| 主分类号： | A01H4/00 | 分类号： | A01H4/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 235000 安徽省淮*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种石斛组培芽快速增殖的方法，该方法采用负离子水对石斛组培芽进行短期浸泡刺激，接着在无糖培养基中暗培养饥饿处理，最后转接到富营养培养基中，恢复光照条件，促使石斛组培芽快速增殖，具体包括以下操作步骤（1）负离子水浸泡预处理；（2）石斛组培芽的饥饿暗处理；（3）石斛组培芽的增殖培养。本发明通过短期负离子水结合暗培养饥饿胁迫处理、后期富营养培养，促使石斛组培芽快速增殖。该方法简单易行，成本低廉，且石斛组培芽增殖效率高，适用于工厂化大规模生产。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 石斛 组培芽 快速 增殖 方法 | ||
【主权项】：
一种石斛组培芽快速增殖的方法，其特征在于按照下述步骤进行：（1）负离子水浸泡预处理：将石斛组培芽从培养瓶中取出，添加入负离子水至浸没，25℃条件下，浸泡4‑8小时；所述的负离子水中的负离子含量不低于200个/cm3；（2）石斛组培芽的饥饿暗处理：将浸泡后的石斛组培芽取出，转入到去糖培养基中，25℃条件下，暗培养48‑96小时；所述去糖培养基为去除蔗糖的液体MS培养基；（3）石斛组培芽的增殖培养: 从去糖培养基中取出石斛组培芽，转接入增殖培养基中，在温度25±2℃、每天光照14小时、光照强度1500‑2000LX的条件下培养30‑40天，该段时间内石斛组培芽快速增殖；所述增殖培养基为含30g/L蔗糖：麦芽糖比例为1:0.5～1:1.5的双糖固体MS培养基。
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