[发明专利]半导体存储设备在审
| 申请号： | 201510236076.9 | 申请日： | 2015-05-11 |
| 公开（公告）号： | CN106205675A | 公开（公告）日： | 2016-12-07 |
| 发明（设计）人： | 绿川刚 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | G11C11/413 | 分类号： | G11C11/413 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 李光颖;王英 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 在实施例中，一种半导体存储设备，包括存储单元，所述存储单元包括具有第一输入端和第一输出端的第一反相器，以及具有连接到所述第一输出端的第二输入端和连接到第一输入端部分的第二输出端的第二反相器。第一位线经由第一传输晶体管连接到所述第一反相器的所述第一输出端。第二位线经由第二传输晶体管连接到所述第二反相器的所述第二输出端。第一p沟道MOS晶体管具有连接到所述第一位线的漏极和连接到所述第二位线的栅极。第二p沟道MOS晶体管具有连接到所述第二位线的漏极和连接到所述第一位线的栅极。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 设备 | ||
【主权项】：
一种半导体存储设备，包括：存储单元，其包括：第一反相器，其具有第一输入端和第一输出端，以及第二反相器，其具有连接到所述第一输出端的第二输入端和连接到所述第一输入端的第二输出端；第一位线，其经由第一传输晶体管连接到所述第一输出端；第二位线，其经由第二传输晶体管连接到所述第二输出端；第一p沟道金属氧化物半导体(MOS)晶体管，其具有连接到所述第一位线的漏极和连接到所述第二位线的栅极；以及第二p沟道MOS晶体管，其具有连接到所述第二位线的漏极和连接到所述第一位线的栅极。
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