[发明专利]一种离子阱质量分析器及其信号的施加方法

摘要

本发明公开了一种离子阱质量分析器及其信号的施加方法，包括一个中央环电极，和对称置于该中央环电极两侧的端盖电极，每一个所述端盖电极中心上分别设有离子引入孔和离子射出孔，其特征在于两侧所述端盖电极分别由内圈电极及外圈电极构成，所述内圈电极与外圈电极之间设有电气隔离，所述离子引入孔及离子射出孔分别位于对应的内圈电极上，且两侧内圈电极分别为共振激发信号连接端，其施加信号方式有两种，直接施加于内圈电极上或通过耦合方式施加于内圈电极上。本发明仅在端盖电极的内圈电极上施加信号，从而有利于减少AC信号对离子阱内部离子运动的影响，提高离子出射的准确性和强度，离子阱的整体性能得到改善。

主权项

一种离子阱质量分析器的信号施加方法，其特征在于：所述离子阱质量分析器包括一个中央环电极，和对称置于该中央环电极两侧的端盖电极，每一个所述端盖电极中心上分别设有离子引入孔和离子射出孔，两侧所述端盖电极分别由内圈电极及外圈电极构成，所述内圈电极与外圈电极之间设有电气隔离，所述离子引入孔及离子射出孔分别位于对应的内圈电极上，其信号施加方法包括A或B两种方式，如下：方式A：在中央环电极上施加射频电压RF，在端盖电极的内圈电极上施加共振激发信号AC，端盖电极的外圈电极接地；或，方式B：在中央环电极上施加射频电压RF+，在端盖电极的外圈电极上施加与RF+幅值相等、相位差180°的射频电压RF‑，端盖电极的内圈电极上施加耦合了共振激发信号AC的射频电压RF‑。