[发明专利]基于多孔材料的场致发射型电子源及显示器件在审
| 申请号： | 201510237162.1 | 申请日： | 2015-05-11 |
| 公开（公告）号： | CN104882344A | 公开（公告）日： | 2015-09-02 |
| 发明（设计）人： | 刘震;李姝敏;裴承全;韦海成;刘纯亮;吴胜利 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | H01J1/304 | 分类号： | H01J1/304;H01J37/073 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 朱海临 |
| 地址： | 710049 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于多孔材料的场致发射型电子源及显示器件，其中电子源包括后基板，该后基板上依次设置有底电极、绝缘膜、顶电极的MIM型多层膜结构，其特征在于，所述绝缘膜由阻挡层和多孔层构成，该阻挡层靠近底电极的一侧，其厚度不超过20nm，多孔层靠近顶电极一侧，其厚度至少应大于阻挡层厚度的5倍。通过优化阻挡层和多孔层的厚度，以及在多孔材料孔内生长纳米材料的方法，可以在改善电子源寿命，提高发射稳定性的同时，降低器件的阈值电压，提高电子源的发射效率。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 多孔 材料 发射 电子 显示 器件 | ||
【主权项】：
一种基于多孔材料的场致发射型电子源，包括后基板，该后基板上依次设置有底电极、绝缘膜、顶电极的MIM型多层膜结构，其特征在于，所述绝缘膜由阻挡层和多孔层构成，该阻挡层靠近底电极的一侧，其厚度不超过20nm，多孔层靠近顶电极一侧，其厚度至少应大于阻挡层厚度的5倍。
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