[发明专利]存储器元件的接触窗结构及其制造方法在审
| 申请号： | 201510237742.0 | 申请日： | 2015-05-12 |
| 公开（公告）号： | CN106206541A | 公开（公告）日： | 2016-12-07 |
| 发明（设计）人： | 吴明宗;洪士平 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/535 | 分类号： | H01L23/535;H01L21/768 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种存储器元件的接触窗结构及其制造方法，存储器接触窗结构包括一沟道，位于与层状的导电及绝缘层相邻之处，此些层内衬于沟道的侧边与底部。移除沟道的一部分，以暴露出一表面，在此表面中的一层上方被提供至导电层的电连结。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 元件 接触 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种存储器元件的接触窗结构，包括：一导电材料及一绝缘材料交替的多层，水平地位于一结构的一第一区域中的一基板之上；一沟道，形成于该结构的一第二区域中，该第二区域与该第一区域相邻，该沟道具有该导电材料及该绝缘材料交替的这些层的多个延伸部分，这些延伸部分位于该沟道的至少一侧边上方；以及该沟道的一切去部，该切去部暴露出至一水平平面的一层上方的该导电材料的这些延伸部分，该切去部有效地使该导电材料的这些层与多个垂直取向的导电结构之间电性连接。
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