[发明专利]一种转移石墨烯的方法在审
| 申请号： | 201510238312.0 | 申请日： | 2015-05-12 |
| 公开（公告）号： | CN106276863A | 公开（公告）日： | 2017-01-04 |
| 发明（设计）人： | 付磊;卢文静;王娇;曾梦琪;邵苗苗 | 申请（专利权）人： | 武汉大学 |
| 主分类号： | C01B32/194 | 分类号： | C01B32/194 |
| 代理公司： | 武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 42222 | 代理人： | 张火春 |
| 地址： | 430072 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种转移石墨烯的方法，属于材料科学技术领域。一种转移石墨烯的方法为：（1）将较高熔点的金属作为金属基底，对其进行预处理；（2）将较低熔点的金属或合金放置在金属基底上，加热，得粘附有较低熔点金属或合金的金属基底；（3）生长石墨烯，即得生长有石墨烯的金属基底；（4）将生长有石墨烯的金属基底放置在加热台上，在高于低熔点金属或合金的熔点的温度下加热，把目标基底放于待转移的石墨烯上，将石墨烯滑移至目标基底上。其优点是：该方法适用于硅片、石英、氧化铪、氧化铍、塑料膜等任意基底上。该方法转移速度更快，转以后的石墨烯更干净；条件简单；金属基底可重复利用，特别适用于工业化生产。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 转移 石墨 方法 | ||
【主权项】：
1.一种转移石墨烯的方法，其特征在于包括以下步骤：（1）将较高熔点的金属作为金属基底，对其进行预处理；（2）将较低熔点的金属或合金放置在经步骤（1）预处理后的金属基底上，以高于较低熔点金属或合金的熔点的温度加热，得粘附有较低熔点金属或合金的金属基底；（3）在步骤（2）制备的粘附有较低熔点金属或合金的金属基底上生长石墨烯，即得生长有石墨烯的金属基底；（4）将步骤（3）制备的生长有石墨烯的金属基底放置在加热台上，在高于低熔点金属或合金的熔点的温度下加热，把目标基底放于待转移的石墨烯上，将石墨烯滑移至目标基底上。
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