[发明专利]功率金氧半导体场效晶体管及其制作方法

摘要

本发明提供一种功率金氧半导体场效晶体管及其制作方法。一种功率金氧半导体场效晶体管包括基材、介电层、多个焊球、第一及第二图案化金属层；基材包括有源表面、背面、位于有源表面的源极区与栅极区及位于背面的漏极区；第一图案化金属层设置于有源表面并包括源极电极、栅极电极、漏极电极及连接线路；源极及栅极电极电性连接源极及栅极区，连接线路位于基材的边缘并电性连接漏极电极；介电层设置于有源表面上并暴露第一图案化金属层；第二图案化金属层包括多个覆盖源极、栅极及漏极电极的球底金属层及覆盖连接线路并延伸至边缘以电性连接漏极区的连接金属层；焊球设置于球底金属层上。本发明可提升功率金氧半导体场效晶体管的电性效能。

主权项

一种功率金氧半导体场效晶体管，其特征在于，包括：基材，包括有源表面、相对所述有源表面的背面、源极区、栅极区以及漏极区，所述源极区以及所述栅极区位于所述有源表面，所述漏极区位于所述背面；第一图案化金属层，设置于所述有源表面上并包括源极电极、栅极电极、漏极电极以及连接线路，所述源极电极以及所述栅极电极分别电性连接至所述源极区以及所述栅极区，所述连接线路位于所述基材的边缘并与所述漏极电极电性连接；图案化介电层，设置于所述有源表面上并暴露所述第一图案化金属层；第二图案化金属层，包括多个球底金属层以及连接金属层，该些球底金属层分别覆盖所述源极电极、所述栅极电极及所述漏极电极，所述连接金属层覆盖并连接所述连接线路并延伸至所述边缘以通过所述边缘电性连接至所述漏极区；以及多个焊球，分别设置于该些球底金属层上。