[发明专利]磁阻传感器有效
| 申请号： | 201510238926.9 | 申请日： | 2015-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN104978978B | 公开（公告）日： | 2019-06-21 |
| 发明（设计）人： | Z·卢;D·哈赛特;P·麦艾辛尼;J·许 | 申请（专利权）人： | 希捷科技有限公司 |
| 主分类号： | G11B5/127 | 分类号： | G11B5/127;G11B5/11 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 何焜 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本申请公开了一种磁阻传感器。本文公开的实现方式提供一种包括传感器结构的装置，该传感器结构包括顶部屏蔽和底部屏蔽，该顶部屏蔽包括顶部屏蔽合成反铁磁层，该底部屏蔽包括底部屏蔽合成反铁磁层。 | ||
| 搜索关键词： | 磁阻 传感器 | ||
【主权项】：
1.一种用于磁存储的装置，包括：传感器结构，包括顶部屏蔽和底部屏蔽，所述顶部屏蔽包括顶部屏蔽合成反铁磁SAF层，所述底部屏蔽包括底部屏蔽SAF层，其中所述底部屏蔽SAF层充当磁取向垂直于空气承载表面方向固定的籽晶层。
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