[发明专利]具有改进的热特性的晶圆基座有效
| 申请号： | 201510239192.6 | 申请日： | 2015-05-12 |
| 公开（公告）号： | CN106206400B | 公开（公告）日： | 2021-09-10 |
| 发明（设计）人： | 林逸宏;李志鸿;卢昶伸;李资良;李启弘 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/687 | 分类号： | H01L21/687;H01L21/67;H01J37/32 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种具有改进的热均匀性的衬底保持器件。在一个示例性实施例中，衬底保持器件包括具有限定的周边的基本圆形的第一表面、设置在周边处的多个接触区域、以及也设置在周边处的多个非接触区域。接触区域与非接触区域穿插设置。在非接触区域中的每一个内，第一表面延伸经过第一表面结束于接触区域中的每一个内。在一些这种实施例中，多个接触区域中的每个区域包括设置在第一表面上方的接触表面。本发明还涉及具有改进的热特性的晶圆基座。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 改进 特性 基座 | ||
【主权项】：
一种衬底保持器件，包括：基本圆形的第一表面，具有通过所述基本圆形的第一表面限定的周边；多个接触区域，设置在所述周边处；以及多个非接触区域，设置在所述周边处并且与所述多个接触区域穿插，其中，所述非接触区域的每一个内的所述第一表面延伸经过所述接触区域的每一个内的所述第一表面。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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