[发明专利]高纯三甲基铟的制备方法有效
| 申请号： | 201510239288.2 | 申请日： | 2015-05-12 |
| 公开（公告）号： | CN104860972B | 公开（公告）日： | 2017-03-08 |
| 发明（设计）人： | 顾宏伟;茅嘉原;李敏;王士峰;洪海燕 | 申请（专利权）人： | 苏州普耀光电材料有限公司 |
| 主分类号： | C07F5/00 | 分类号： | C07F5/00 |
| 代理公司： | 北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙)11350 | 代理人： | 汤东凤 |
| 地址： | 215000 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种高纯三甲基铟的制备方法，属于元素周期表第Ⅲ族金属化合物制备的技术领域。本发明的制备方法包括以下步骤①以乙醚为溶剂，制备三甲基铟粗品；②对步骤①得到的三甲基铟粗品进行纯化，所述纯化方法包括采用第一层析柱对所述三甲基铟粗品进行提纯的步骤；并且所述第一层析柱采用的固定相为接枝二氧化硅，所述接枝二氧化硅为表面接枝有三正辛胺的二氧化硅。本发明的制备方法采用合成和分离两个步骤得到了纯度可以达到6N的三甲基铟；尤其是采用的纯化方法结合了固液分离的手段，将特定的配位剂负载在二氧化硅上，不仅操作简单，而且也进一步提高了纯化效果。 | ||
| 搜索关键词： | 高纯 甲基 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种高纯三甲基铟的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：(1)以乙醚为溶剂，制备三甲基铟粗品；(2)对步骤(1)得到的三甲基铟粗品进行纯化，所述纯化方法包括采用第一层析柱对所述三甲基铟粗品进行纯化的步骤；并且所述第一层析柱采用的固定相为接枝二氧化硅，所述接枝二氧化硅为表面接枝有三正辛胺的二氧化硅；所述纯化的操作如下：(2.1)把三甲基铟倒入固定相为二氧化硅的第二层析柱中，依靠重力自然下流，待液体流完，收集溶液；(2.2)将收集的溶液倒入第一层析柱中，依靠重力自然下流，待液体流完收集溶液；再把收集的溶液再倒入第一层析柱中，重复操作3～6次；(2.3)对经过(2.2)处理后的第一层析柱在大于100℃而小于120℃的温度条件下进行加热解配，并在层析柱底部抽真空收集即可得到纯化的三甲基铟；所述三甲基铟粗品的纯度为80.0～85.0％。
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