[发明专利]MOSFET器件的隔离驱动电路

摘要

本发明实施例提供一种MOSFET器件的隔离驱动电路。该电路包括：低电压控制部分、隔离部分和第一MOSFET的驱动部分，低电压控制部分包括第一限流电阻、第二MOSFET和第二MOSFET的驱动电路，第二MOSFET的驱动电路包括第一滤波电容、第二滤波电容和第二限流电阻。本发明实施例通过在MOSFET器件的隔离驱动电路的隔离部分的输入端连接低电压控制部分，使单片机向隔离部分的输入端输入低电压导致隔离部分输入端引脚之间导通产生电流时，电流流入低电压控制部分，防止电流流入单片机造成单片机的电流消耗较大。

主权项

一种MOSFET器件的隔离驱动电路，其特征在于，包括：低电压控制部分、隔离部分和第一MOSFET的驱动部分，其中，所述低电压控制部分包括第一限流电阻、第二MOSFET和所述第二MOSFET的驱动电路，所述第一限流电阻的一端与所述隔离部分的输入端的第一输入线连接，所述第一限流电阻的另一端与高电压连接，所述第二MOSFET的漏极与所述隔离部分的输入端的第二输入线连接，所述第二MOSFET的源极接地，所述第二MOSFET的驱动电路包括第一滤波电容、第二滤波电容和第二限流电阻，所述第二限流电阻的一端与所述第二MOSFET的栅极电连接，所述第一滤波电容连接在所述第二MOSFET的漏极和栅极之间，所述第二滤波电容连接在所述第二MOSFET的源极和栅极之间；所述第一MOSFET的栅极与所述隔离部分的输出端的第一输出线连接；所述第一MOSFET的驱动部分包括第一电阻和第二电阻，所述第一电阻连接在所述第一MOSFET的源极和栅极之间，所述第二电阻的一端与所述隔离部分的输出端的第二输出线连接。