[发明专利]存储器装置及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201510240687.0 申请日: 2015-05-13
公开(公告)号: CN106298781B 公开(公告)日: 2019-05-21
发明(设计)人: 邱威鸣;赵元宏 申请(专利权)人: 华邦电子股份有限公司
主分类号: H01L27/108 分类号: H01L27/108;H01L21/8242
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人: 郭晓宇
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 发明提供了一种存储器装置及其制造方法,其中,该存储器装置包括:一基底;多条位线,沿一第一方向平行延伸于该基底上;一第一隔离结构及一第二隔离结构,沿一第二方向延伸于该基底及该些位线上;多个底接触结构,沿该第二方向设置于该些位线之间,使该第一隔离结构以及该第二隔离结构于该第一方向设置于该些底接触结构的两侧;以及多个顶接触结构,设置于该些底接触结构上,且各该顶接触结构具有一肩部抵靠于该第一隔离结构的顶表面。
搜索关键词: 存储器 装置 及其 制造 方法
【主权项】:
1.一种存储器装置,其特征在于,包括:一基底;多条位线,沿一第一方向平行延伸于所述基底上;一第一隔离结构及一第二隔离结构,沿一第二方向延伸于所述基底及所述位线上;多个底接触结构,沿所述第二方向设置于所述位线之间,使所述第一隔离结构以及所述第二隔离结构于所述第一方向设置于所述底接触结构的两侧;一蚀刻停止层,沿所述第一隔离结构的侧壁延伸覆盖至所述第一隔离结构的部分顶表面;以及多个顶接触结构,设置于所述底接触结构上,且各所述顶接触结构具有一肩部抵靠于所述第一隔离结构的顶表面。
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