[发明专利]存储器装置及其制造方法有效
申请号: | 201510240687.0 | 申请日: | 2015-05-13 |
公开(公告)号: | CN106298781B | 公开(公告)日: | 2019-05-21 |
发明(设计)人: | 邱威鸣;赵元宏 | 申请(专利权)人: | 华邦电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/108 | 分类号: | H01L27/108;H01L21/8242 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 郭晓宇 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供了一种存储器装置及其制造方法,其中,该存储器装置包括:一基底;多条位线,沿一第一方向平行延伸于该基底上;一第一隔离结构及一第二隔离结构,沿一第二方向延伸于该基底及该些位线上;多个底接触结构,沿该第二方向设置于该些位线之间,使该第一隔离结构以及该第二隔离结构于该第一方向设置于该些底接触结构的两侧;以及多个顶接触结构,设置于该些底接触结构上,且各该顶接触结构具有一肩部抵靠于该第一隔离结构的顶表面。 | ||
搜索关键词: | 存储器 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种存储器装置,其特征在于,包括:一基底;多条位线,沿一第一方向平行延伸于所述基底上;一第一隔离结构及一第二隔离结构,沿一第二方向延伸于所述基底及所述位线上;多个底接触结构,沿所述第二方向设置于所述位线之间,使所述第一隔离结构以及所述第二隔离结构于所述第一方向设置于所述底接触结构的两侧;一蚀刻停止层,沿所述第一隔离结构的侧壁延伸覆盖至所述第一隔离结构的部分顶表面;以及多个顶接触结构,设置于所述底接触结构上,且各所述顶接触结构具有一肩部抵靠于所述第一隔离结构的顶表面。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华邦电子股份有限公司,未经华邦电子股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201510240687.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种半导体器件及其制造方法、电子装置
- 下一篇:静态随机存取存储器
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的