[发明专利]一种SRAM芯片的PUF特性测试方法及装置在审
| 申请号： | 201510240841.4 | 申请日： | 2015-05-12 |
| 公开（公告）号： | CN104810062A | 公开（公告）日： | 2015-07-29 |
| 发明（设计）人： | 李冰;顾巍;陈帅;董乾;赵霞;刘勇;王刚;王超凡 | 申请（专利权）人： | 东南大学 |
| 主分类号： | G11C29/56 | 分类号： | G11C29/56 |
| 代理公司： | 江苏永衡昭辉律师事务所 32250 | 代理人： | 王斌 |
| 地址： | 214135 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种SRAM芯片的PUF特性测试方法。本发明方法包括：步骤1、向待测SRAM芯片中的每个存储单元写入测试数据；步骤2、按照预设次数反复读取待测SRAM芯片中的每个存储单元的输出数据，并统计各存储单元输出数据在整个反复读取过程中的跳变信息；步骤3、根据所述跳变信息分析待测SRAM芯片的PUF特性。本发明还公开了一种SRAM芯片的PUF特性测试装置，用于实现上述方法。本发明可对SRAM芯片的PUF特性进行快速准确的测试，且测试装置全硬件实现，测试速度和准确率更高，成本更低。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 sram 芯片 puf 特性 测试 方法 装置 | ||
【主权项】：
一种SRAM芯片的PUF特性测试方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1、向待测SRAM芯片中的每个存储单元写入测试数据；步骤2、按照预设次数反复读取待测SRAM芯片中的每个存储单元的输出数据，并统计各存储单元输出数据在整个反复读取过程中的跳变信息；步骤3、根据所述跳变信息分析待测SRAM芯片的PUF特性。
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